QR код
О нас
Продукты
Контакты


Факс
+86-579-87223657

Электронная почта

Адрес
Wangda Road, улица Цзыян, округ Уи, город Цзиньхуа, провинция Чжэцзян, Китай
Общая информация о продукте
|
Место происхождения: |
Китай |
|
Название бренда: |
Мой соперник |
|
Номер модели: |
Приемник EPI Part-01 |
|
Сертификация: |
ИСО9001 |
Условия сотрудничества с продуктом
|
Минимальное количество заказа: |
Предмет переговоров |
|
Цена: |
Контакт для индивидуального предложения |
|
Детали упаковки: |
Стандартный экспортный пакет |
|
Срок поставки: |
Срок доставки: 30-45 дней после подтверждения заказа |
|
Условия оплаты: |
Т/Т |
|
Возможность поставки: |
100 единиц/месяц |
✔ Приложение: В стремлении к максимальной производительности и производительности в процессах эпитаксиального карбида кремния Veteksemicon EPI Susceptor обеспечивает превосходную термическую стабильность и однородность, становясь ключевым фактором повышения производительности силовых и радиочастотных устройств и снижения общих затрат.
✔ Услуги, которые могут быть предоставлены: анализ сценариев применения клиента, подбор материалов, решение технических проблем.
✔ Профиль компании:Ветексемикон имеет 2 лаборатории, команду экспертов с 20-летним опытом работы с материалами, обладающую возможностями исследований и разработок, а также производства, тестирования и проверки.
|
проект |
параметр |
|
Базовый материал |
Изостатический графит высокой чистоты |
|
Материал покрытия |
Высокочистый CVD SiC |
|
Толщина покрытия |
Возможна индивидуальная настройка в соответствии с технологическими требованиями заказчика (типичное значение: 100±20 мкм). |
|
Чистота |
> 99,9995 % (покрытие SiC) |
|
Максимальная рабочая температура |
> 1650°С |
|
Коэффициент теплового расширения |
Хорошая совместимость с пластинами SiC. |
|
Шероховатость поверхности |
Ra < 1,0 мкм (регулируется по запросу) |
1. Обеспечьте максимальную однородность
В эпитаксиальных процессах карбида кремния даже микронные колебания толщины и неоднородности легирования напрямую влияют на производительность и производительность конечного устройства. Veteksemicon EPI Susceptor обеспечивает оптимальное распределение теплового поля внутри реакционной камеры за счет точного термодинамического моделирования и структурного проектирования. Наш выбор подложки с высокой теплопроводностью в сочетании с уникальным процессом обработки поверхности гарантирует, что разница температур в любой точке поверхности пластины контролируется в чрезвычайно небольшом диапазоне даже при высокой скорости вращения и в высокотемпературных средах. Непосредственным преимуществом этого является получение высоковоспроизводимого эпитаксиального слоя от партии к партии с превосходной однородностью, закладывающего прочную основу для производства высокопроизводительных и стабильных силовых чипов.
2. Сопротивление воздействию высоких температур
Эпитаксиальные процессы SiC обычно требуют длительной работы при температурах, превышающих 1500°C, что представляет собой серьезную проблему для любого материала. В Veteksemicon Susceptor используется специально обработанный изостатически прессованный графит, чья прочность на изгиб при высоких температурах и сопротивление ползучести намного превосходят показатели обычного графита. Даже после сотен часов непрерывного высокотемпературного термоциклирования наш продукт сохраняет свою первоначальную геометрию и механическую прочность, эффективно предотвращая коробление, проскальзывание или загрязнение технологической полости пластины, вызванное деформацией лотка, что существенно обеспечивает непрерывность и безопасность производственной деятельности.
3. Максимизируйте стабильность процесса
Перебои в производстве и незапланированное техническое обслуживание являются основными причинами снижения затрат при производстве пластин. Veteksemicon считает стабильность процесса основным показателем Susceptor. Наше запатентованное CVD-покрытие SiC является плотным, непористым и имеет зеркально гладкую поверхность. Это не только значительно уменьшает осыпание частиц под воздействием высокотемпературного воздушного потока, но также значительно замедляет прилипание побочных продуктов реакции (таких как поликристаллический SiC) к поверхности лотка. Это означает, что ваша реакционная камера может оставаться чистой в течение более длительного периода времени, увеличивая интервалы между регулярной очисткой и техническим обслуживанием, тем самым улучшая общее использование оборудования и производительность.
4. Продлить срок службы
Частота замены токоприемников как расходного компонента напрямую влияет на эксплуатационные затраты на производство. Veteksemicon продлевает срок службы продукции за счет двойного технологического подхода: «оптимизация подложки» и «улучшение покрытия». Графитовая подложка высокой плотности и низкой пористости эффективно замедляет проникновение и коррозию подложки технологическими газами; одновременно наше толстое и однородное покрытие SiC действует как надежный барьер, значительно подавляя сублимацию при высоких температурах. Реальные испытания показывают, что при одних и тех же условиях процесса суцепторы Veteksemicon демонстрируют более медленную скорость снижения производительности и более длительный эффективный срок службы, что приводит к снижению эксплуатационных затрат на одну пластину.
5. Подтверждение проверки экологической цепочки
Проверка экологической цепочки Veteksemicon EPI Susceptor Part охватывает сырье и производство, прошла сертификацию по международным стандартам и имеет ряд запатентованных технологий, обеспечивающих ее надежность и устойчивость в полупроводниковой и новой энергетической областях.
Для получения подробных технических спецификаций, официальных документов или организации образцовых испытаний свяжитесь с нашей командой технической поддержки, чтобы узнать, как Veteksemicon может повысить эффективность вашего процесса.
Основные области применения
|
Направление применения |
Типичный сценарий |
|
Силовая электроника |
Силовые устройства, такие как SiC MOSFET и диоды Шоттки, используемые в производстве электромобилей и промышленных приводов. |
|
Радиочастотная связь |
Эпитаксиальные слои для выращивания усилителей мощности радиочастотного диапазона GaN-on-SiC (RF HEMT) для базовых станций 5G и радаров. |
|
Передовые исследования и разработки |
Он служит для разработки и проверки широкозонных полупроводниковых материалов и структур устройств нового поколения. |
Склад продукции Ветексемикон
Адрес
Wangda Road, улица Цзыян, округ Уи, город Цзиньхуа, провинция Чжэцзян, Китай
Тел.
Электронная почта


+86-579-87223657


Wangda Road, улица Цзыян, округ Уи, город Цзиньхуа, провинция Чжэцзян, Китай
Авторские права © 2024 WuYi TianYao New Material Tech.Co.,Ltd. Все права защищены.
Links | Sitemap | RSS | XML | политика конфиденциальности |
