Продукты
Детали приемника EPI
  • Детали приемника EPIДетали приемника EPI

Детали приемника EPI

В рамках основного процесса эпитаксиального выращивания карбида кремния компания Veteksemicon понимает, что характеристики токоприемника напрямую определяют качество и эффективность производства эпитаксиального слоя. В наших токоприемниках EPI высокой чистоты, разработанных специально для области SiC, используется специальная графитовая подложка и плотное покрытие CVD SiC. Благодаря превосходной термической стабильности, превосходной коррозионной стойкости и чрезвычайно низкой скорости образования частиц они обеспечивают клиентам беспрецедентную толщину и однородность легирования даже в суровых высокотемпературных технологических средах. Выбор Veteksemicon означает выбор краеугольного камня надежности и производительности для ваших передовых процессов производства полупроводников.

Общая информация о продукте


Место происхождения:
Китай
Название бренда:
Мой соперник
Номер модели:
Приемник EPI Part-01
Сертификация:
ИСО9001


Условия сотрудничества с продуктом


Минимальное количество заказа:
Предмет переговоров
Цена:
Контакт для индивидуального предложения
Детали упаковки:
Стандартный экспортный пакет
Срок поставки:
Срок доставки: 30-45 дней после подтверждения заказа
Условия оплаты:
Т/Т
Возможность поставки:
100 единиц/месяц


Приложение: В стремлении к максимальной производительности и производительности в процессах эпитаксиального карбида кремния Veteksemicon EPI Susceptor обеспечивает превосходную термическую стабильность и однородность, становясь ключевым фактором повышения производительности силовых и радиочастотных устройств и снижения общих затрат.

Услуги, которые могут быть предоставлены: анализ сценариев применения клиента, подбор материалов, решение технических проблем. 

Профиль компании:Ветексемикон имеет 2 лаборатории, команду экспертов с 20-летним опытом работы с материалами, обладающую возможностями исследований и разработок, а также производства, тестирования и проверки.


Технические параметры

проект
параметр
Базовый материал
Изостатический графит высокой чистоты
Материал покрытия
Высокочистый CVD SiC
Толщина покрытия
Возможна индивидуальная настройка в соответствии с технологическими требованиями заказчика (типичное значение: 100±20 мкм).
Чистота
> 99,9995 % (покрытие SiC)
Максимальная рабочая температура
> 1650°С
Коэффициент теплового расширения
Хорошая совместимость с пластинами SiC.
Шероховатость поверхности
Ra < 1,0 мкм (регулируется по запросу)


Основные преимущества Veteksemicon EPI Contractor Part


1. Обеспечьте максимальную однородность

В эпитаксиальных процессах карбида кремния даже микронные колебания толщины и неоднородности легирования напрямую влияют на производительность и производительность конечного устройства. Veteksemicon EPI Susceptor обеспечивает оптимальное распределение теплового поля внутри реакционной камеры за счет точного термодинамического моделирования и структурного проектирования. Наш выбор подложки с высокой теплопроводностью в сочетании с уникальным процессом обработки поверхности гарантирует, что разница температур в любой точке поверхности пластины контролируется в чрезвычайно небольшом диапазоне даже при высокой скорости вращения и в высокотемпературных средах. Непосредственным преимуществом этого является получение высоковоспроизводимого эпитаксиального слоя от партии к партии с превосходной однородностью, закладывающего прочную основу для производства высокопроизводительных и стабильных силовых чипов.


2. Сопротивление воздействию высоких температур

Эпитаксиальные процессы SiC обычно требуют длительной работы при температурах, превышающих 1500°C, что представляет собой серьезную проблему для любого материала. В Veteksemicon Susceptor используется специально обработанный изостатически прессованный графит, чья прочность на изгиб при высоких температурах и сопротивление ползучести намного превосходят показатели обычного графита. Даже после сотен часов непрерывного высокотемпературного термоциклирования наш продукт сохраняет свою первоначальную геометрию и механическую прочность, эффективно предотвращая коробление, проскальзывание или загрязнение технологической полости пластины, вызванное деформацией лотка, что существенно обеспечивает непрерывность и безопасность производственной деятельности.


3. Максимизируйте стабильность процесса

Перебои в производстве и незапланированное техническое обслуживание являются основными причинами снижения затрат при производстве пластин. Veteksemicon считает стабильность процесса основным показателем Susceptor. Наше запатентованное CVD-покрытие SiC является плотным, непористым и имеет зеркально гладкую поверхность. Это не только значительно уменьшает осыпание частиц под воздействием высокотемпературного воздушного потока, но также значительно замедляет прилипание побочных продуктов реакции (таких как поликристаллический SiC) к поверхности лотка. Это означает, что ваша реакционная камера может оставаться чистой в течение более длительного периода времени, увеличивая интервалы между регулярной очисткой и техническим обслуживанием, тем самым улучшая общее использование оборудования и производительность.


4. Продлить срок службы

Частота замены токоприемников как расходного компонента напрямую влияет на эксплуатационные затраты на производство. Veteksemicon продлевает срок службы продукции за счет двойного технологического подхода: «оптимизация подложки» и «улучшение покрытия». Графитовая подложка высокой плотности и низкой пористости эффективно замедляет проникновение и коррозию подложки технологическими газами; одновременно наше толстое и однородное покрытие SiC действует как надежный барьер, значительно подавляя сублимацию при высоких температурах. Реальные испытания показывают, что при одних и тех же условиях процесса суцепторы Veteksemicon демонстрируют более медленную скорость снижения производительности и более длительный эффективный срок службы, что приводит к снижению эксплуатационных затрат на одну пластину.



5. Подтверждение проверки экологической цепочки

Проверка экологической цепочки Veteksemicon EPI Susceptor Part охватывает сырье и производство, прошла сертификацию по международным стандартам и имеет ряд запатентованных технологий, обеспечивающих ее надежность и устойчивость в полупроводниковой и новой энергетической областях.


Для получения подробных технических спецификаций, официальных документов или организации образцовых испытаний свяжитесь с нашей командой технической поддержки, чтобы узнать, как Veteksemicon может повысить эффективность вашего процесса.


Основные области применения


Направление применения
Типичный сценарий
Силовая электроника
Силовые устройства, такие как SiC MOSFET и диоды Шоттки, используемые в производстве электромобилей и промышленных приводов.
Радиочастотная связь
Эпитаксиальные слои для выращивания усилителей мощности радиочастотного диапазона GaN-on-SiC (RF HEMT) для базовых станций 5G и радаров.
Передовые исследования и разработки
Он служит для разработки и проверки широкозонных полупроводниковых материалов и структур устройств нового поколения.


Склад продукции Ветексемикон


Veteksemicon products shop


Горячие Теги: Детали приемника EPI
Отправить запрос
Контакты
  • Адрес

    Wangda Road, улица Цзыян, округ Уи, город Цзиньхуа, провинция Чжэцзян, Китай

  • Электронная почта

    anny@veteksemi.com

По вопросам о покрытии из карбида кремния, покрытии из карбида тантала, специальном графите или прайс-листе оставьте нам свой адрес электронной почты, и мы свяжемся с вами в течение 24 часов.
X
Мы используем файлы cookie, чтобы предложить вам лучший опыт просмотра, анализировать трафик сайта и персонализировать контент. Используя этот сайт, вы соглашаетесь на использование нами файлов cookie. политика конфиденциальности
Отклонять Принимать