Новости

5 сентября клиенты Vetek Semiconductor посетили фабрики SIC Cotating и TAC и достигли дополнительных соглашений о последних эпитаксиальных решениях процесса.

5 сентября 2025 года клиент из Польши посетил завод VETEK, чтобы узнать о наших передовых технологиях и инновационных процессах производства изделий из углеродного волокна.

Материалы высокой чистоты необходимы для производства полупроводников. Эти процессы включают в себя сильную жару и агрессивные химические вещества. CVD-SiC (карбид кремния, полученный методом химического осаждения из паровой фазы) обеспечивает необходимую стабильность и прочность. В настоящее время он является основным выбором для деталей современного оборудования из-за его высокой чистоты и плотности.

В мире полупроводников из карбида кремния (SiC) наибольшее внимание уделяется 8-дюймовым эпитаксиальным реакторам или тонкостям полировки пластин. Однако, если мы проследим цепочку поставок до самого начала — внутри печи физического транспорта пара (PVT), — незаметно происходит фундаментальная «материальная революция».

В эпоху быстрого развития МЭМС (микроэлектромеханических систем) выбор правильного пьезоэлектрического материала является решающим решением для производительности устройства. Тонкопленочные пластины PZT (цирконат-титанат свинца) стали лучшим выбором по сравнению с такими альтернативами, как AlN (нитрид алюминия), обеспечивая превосходное электромеханическое соединение для современных датчиков и исполнительных механизмов.

Поскольку производство полупроводников продолжает развиваться в сторону передовых технологических узлов, более высокой степени интеграции и сложных архитектур, решающие факторы, влияющие на выход пластин, претерпевают незначительные изменения. В производстве полупроводниковых пластин по индивидуальному заказу решающим фактором в повышении производительности больше не являются базовые процессы, такие как литография или травление; токоприемники высокой чистоты все чаще становятся основной переменной, влияющей на стабильность и последовательность процесса.