Новости

Откройте для себя возможности точной обработки с ЧПУ VeTek Semiconductor для высокочистого графита, компонентов с CVD-покрытием SiC/TaC, твердых деталей из SiC и индивидуальных полупроводниковых решений.

Vetek Semiconductor приняла участие в выставке CSEAC 2026 в Уси, Китай, продемонстрировав свои передовые покрытия CVD SiC и TaC, графитовые компоненты, керамику SiC и другие материалы полупроводниковой сердцевины. Мероприятие предоставило ценные возможности для укрепления партнерских отношений с клиентами, обсуждения новых технологий, продвижения проектов сотрудничества и изучения будущих возможностей в мировой полупроводниковой промышленности.

VETEK Semiconductor специализируется на шести основных категориях продукции, включая CVD-покрытия SiC, CVD-покрытия TaC, Solid SiC, высокочистый графит и углеродное волокно, кварц и современную керамику, а также полупроводниковые пластины. Наша продукция используется в важнейших полупроводниковых процессах, таких как эпитаксия, травление и выращивание кристаллов. Благодаря двум платформам исследований и разработок, полностью интегрированной производственной системе и возможностям поставок по всему миру мы признаны национальным специализированным и сложным предприятием «маленького гиганта».

Новое предприятие по производству полупроводников VETEK вступило в стадию строительства чистых помещений полупроводникового класса. Новый завод будет поддерживать производство графитовых компонентов с CVD-покрытием SiC, покрытий TaC, покрытий PyC, деталей из твердого SiC и графитовых материалов высокой чистоты для полупроводниковых применений.

VeTek Semiconductor делится ключевыми выводами с конференции SNEC 2026 в Шанхае, уделяя особое внимание графиту высокой чистоты, графитовым компонентам с CVD-покрытием SiC, углеродным композитам и передовым термополевым материалам, поддерживающим солнечное производство нового поколения и фотоэлектрическое производство.

VETEK отмечает церемонию завершения своей новой производственной базы полупроводников, расширяя производственные мощности для передовых технологий покрытий SiC, TaC и PyC, компонентов из твердого SiC, деталей из графита высокой чистоты и полупроводниковых термополевых материалов.

5 сентября клиенты Vetek Semiconductor посетили фабрики SIC Cotating и TAC и достигли дополнительных соглашений о последних эпитаксиальных решениях процесса.

5 сентября 2025 года клиент из Польши посетил завод VETEK, чтобы узнать о наших передовых технологиях и инновационных процессах производства изделий из углеродного волокна.

Носители графитовых пластин с покрытием SiC являются важнейшими термическими и механическими компонентами в системах MOCVD для эпитаксии GaN и светодиодов. В этой технической статье объясняется, как геометрия носителя, глубина кармана, плоскостность, свойства графита и состояние покрытия CVD SiC влияют на распределение температуры пластины, эпитаксиальную однородность и повторяемость процесса. В нем также исследуются взаимосвязь между температурной однородностью и ресурсом устройства, общие механизмы деградации покрытия, аспекты срока службы и инженерные данные, необходимые при выборе индивидуального или сменного носителя пластин MOCVD.

Графит с покрытием SiC сочетает в себе обрабатываемость и термические свойства графита высокой чистоты с химически стабильной поверхностью карбида кремния, обработанной методом CVD. В этом техническом документе объясняется, почему чистый графит может стать источником химического взаимодействия, примесей и частиц в реакторах эпитаксии, как CVD SiC создает более стабильную границу процесса и почему целостность покрытия, совместимость подложек, геометрию и термическое поведение необходимо проектировать вместе. В нем также рассматриваются различные требования к эпитаксии кремния и SiC и описывается, как следует выбирать покрытые токоприемники для полупроводниковых применений.

Графитовый токоприемник с покрытием SiC является важнейшим компонентом теплового поля при эпитаксии полупроводников, а не просто держателем пластин. В этой технической статье объясняется, как геометрия токоприемника, плоскостность, конструкция карманов, свойства графита и качество покрытия CVD SiC вместе влияют на тепловые границы пластин, распределение температуры и эпитаксиальную однородность. В нем также рассматриваются распространенные виды отказов токоприемника, деградация покрытия, риск попадания частиц и ключевые инженерные параметры, необходимые при выборе специального или сменного эпитаксиального токоприемника.

Покрытие карбида кремния CVD получается путем нанесения плотного слоя SiC на графит высокой чистоты посредством контролируемых газовых фаз и поверхностных реакций. В этой статье описывается подготовка подложки, CVD-рост на основе MTS, зародышеобразование и массоперенос, толщина и однородность покрытия, напряжение на границе SiC/графит, распространенные дефекты и контроль полупроводникового уровня. Это также показывает, почему параметры процесса и геометрия компонентов должны разрабатываться вместе для токоприемников и носителей пластин, используемых в эпитаксии и MOCVD.

Покрытие из карбида кремния представляет собой плотный слой SiC, нанесенный методом CVD на графитовые компоненты высокой чистоты, используемые при обработке полупроводников. В этой статье объясняется, почему графит покрывается SiC, как образуется SiC CVD, какие свойства покрытия и факторы интерфейса влияют на производительность, а также как графит с покрытием SiC поддерживает эпитаксию кремния, эпитаксию SiC и MOCVD. В нем также исследуются толщина покрытия, несоответствие КТР, риск расслоения и инженерная информация, необходимая при выборе токоприемников, держателей пластин и других компонентов с покрытием.

Технический документ о том, как покрытия CVD SiC и TaC влияют на термическую стабильность, загрязнение, частицы и повторяемость при эпитаксии полупроводников, с таблицами параметров, деревом принятия решений по выбору покрытия, механизмами отказов и критериями запроса цен.

8-дюймовые SiC сейчас находятся в серийном производстве, но победителей разделяет выход пластин, а не емкость. В этом руководстве объясняется, почему покрытие TaC на графитовых деталях с горячей зоной определяет производительность и как квалифицировать поставщика.

В современном производстве чипов подложка обеспечивает физическую поддержку и путь отвода тепла, а эпитаксиальный слой определяет пределы электрических характеристик устройства. В этой статье представлен углубленный анализ фундаментальных различий между подложками из монокристаллического кремния и карбида кремния и эпитаксиальными процессами CVD/MBE, а также показано, как эпитаксиальная технология повышает производительность высокочастотных и высоковольтных устройств за счет снижения плотности дефектов и использования технологии деформации. Независимо от того, являетесь ли вы инженером-технологом или лицом, принимающим решения о закупках, это руководство поможет вам быстро определить наиболее подходящую стратегию выбора пластин.