Вафельная подложка представляет собой пластину, изготовленную из полупроводникового монокристаллического материала. Подложка может напрямую поступать в процесс производства пластин для производства полупроводниковых устройств или может быть обработана эпитаксиальным процессом для производства эпитаксиальных пластин.
Подложка пластины, как основная несущая структура полупроводниковых устройств, напрямую влияет на производительность и стабильность устройств. В качестве «основы» производства полупроводниковых устройств на подложке необходимо выполнить ряд производственных процессов, таких как выращивание тонких пленок и литография.
Обзор типов подложек
- Монокристаллическая кремниевая пластина: в настоящее время наиболее распространенный материал подложки, широко используемый при производстве интегральных схем (ИС), микропроцессоров, запоминающих устройств, устройств MEMS, силовых устройств и т. д.;
- Подложка SOI: используется для высокопроизводительных интегральных схем с низким энергопотреблением, таких как высокочастотные аналоговые и цифровые схемы, радиочастотные устройства и микросхемы управления питанием;
- Сложные полупроводниковые подложки: Подложка из арсенида галлия (GaAs): устройства связи микроволнового и миллиметрового диапазона и т. д. Подложка из нитрида галлия (GaN): используется для усилителей мощности RF, HEMT и т. д. Подложка из карбида кремния (SiC): используется для электромобилей, преобразователей мощности и других силовых устройств. Подложка из фосфида индия (InP): используется для лазеров, фотодетекторов и т. д.;
- Сапфировая подложка: используется для производства светодиодов, RFIC (радиочастотных интегральных схем) и т. д.;
Vetek Semiconductor является профессиональным поставщиком подложек SiC и SOI в Китае. Наша подложка SiC полуизолирующего типа 4H и подложка SiC полуизолирующего типа 4H широко используются в ключевых компонентах оборудования для производства полупроводников.
Vetek Semiconductor стремится предоставлять передовые и настраиваемые продукты вафельных подложек и технические решения различных спецификаций для полупроводниковой промышленности. Мы искренне надеемся стать вашим поставщиком в Китае.
Ключевые особенности
- Профессиональный поставщик подложек SiC (типа 4H N и полуизолирующих) и подложек SOI для силовых, радиочастотных и современных интегральных схем.
- Широкий ассортимент подложек, охватывающий кремний, сложные полупроводники (SiC, GaN, GaAs, InP), сапфир и специализированные пластины (PZT, SiN, фиктивные пластины).
- Высокое качество материала и стабильность процесса подходят для эпитаксиального выращивания, изготовления устройств и управления технологическим процессом оборудования.
- Настраиваемые спецификации и технические решения, адаптированные к различным требованиям производства полупроводников.
- Надежные поставки из Китая с технической поддержкой для силовых устройств, МЭМС, светодиодов, радиочастотных и термических технологических инструментов.
Категории продуктов
- Подложки SiC: 4H N-типа и полуизолирующие пластины SiC для силовых устройств и радиочастотных приложений.
- Подложки SOI: пластины кремния на изоляторе для высокопроизводительных микросхем с низким энергопотреблением и радиочастотных устройств.
- Специальные / технологические пластины: макетные пластины с CVD-покрытием SiC, подложки SiN, пьезоэлектрические пластины PZT на Si/SOI.
- Другие составные/сапфировые подложки: поддержка светодиодных, радиочастотных и оптоэлектронных приложений (как указано в обзоре)
Приложения
Чтобы удовлетворить разнообразные потребности производства полупроводников, VeTek предлагает целевые продукты на основе вафельных подложек. В следующей таблице они классифицированы по основным областям применения:
| Область применения |
Типичные продукты |
Описание приложения |
| Силовые устройства и электромобили |
Подложки 4H-SiC (тип N/полуизолирующие) |
Подложки из карбида кремния для преобразователей энергии, электромобилей и высоковольтных силовых устройств, требующих высоких температур и высокой эффективности. |
| RF/Высокочастотные ИС |
Подложки SOI, подложки на основе GaN/GaAs, полуизолирующий SiC |
Высокопроизводительные подложки с низким энергопотреблением для радиочастотных устройств, усилителей мощности, HEMT и высокочастотных аналоговых/цифровых схем. |
| МЭМС и датчики |
Пьезоэлектрические пластины PZT (PZT на Si/SOI), подложки SiN |
Пьезоэлектрические и высокопрочные подложки для МЭМС-преобразователей, датчиков 5G, медицинских и носимых устройств, требующих электромеханического преобразования. |
| Контроль процессов и тестирование |
CVD-покрытие SiC Имитационная пластина |
Макеты и тестовые пластины для аттестации оборудования, мониторинга процессов и контроля загрязнений на линиях по производству полупроводников. |
| Светодиод / Оптоэлектроника |
Сапфировые подложки, сложные полупроводниковые подложки (InP и т. д.) |
Подложки для производства светодиодов, лазеров, фотодетекторов и RFIC-приложений, требующих оптических и высокочастотных характеристик. |
| Усовершенствованная ИС/логика и память |
Монокристаллические кремниевые пластины, подложки КНИ |
Основные и современные подложки для интегральных схем, микропроцессоров, памяти и микросхем управления питанием. |
Более подробную информацию о решениях по согласованию процессов см.Эпитаксия карбида кремнияиКремниевая эпитаксиясвязанные страницы.
Как профессиональный производитель и поставщик вафель в Китае, мы имеем собственный завод. Если вам нужны индивидуальные услуги для удовлетворения конкретных потребностей вашего региона или вы хотите купить современные и долговечные пластины китайского производства, вы можетеоставьте нам сообщение.
