Новости

Новости отрасли

Эволюция CVD-SiC от тонкопленочных покрытий до объемных материалов10 2026-04

Эволюция CVD-SiC от тонкопленочных покрытий до объемных материалов

Материалы высокой чистоты необходимы для производства полупроводников. Эти процессы включают в себя сильную жару и агрессивные химические вещества. CVD-SiC (карбид кремния, полученный методом химического осаждения из паровой фазы) обеспечивает необходимую стабильность и прочность. В настоящее время он является основным выбором для деталей современного оборудования из-за его высокой чистоты и плотности.
Невидимое узкое место в развитии SiC: почему сырье CVD SiC 7N заменяет традиционный порошок07 2026-04

Невидимое узкое место в развитии SiC: почему сырье CVD SiC 7N заменяет традиционный порошок

В мире полупроводников из карбида кремния (SiC) наибольшее внимание уделяется 8-дюймовым эпитаксиальным реакторам или тонкостям полировки пластин. Однако, если мы проследим цепочку поставок до самого начала — внутри печи физического транспорта пара (PVT), — незаметно происходит фундаментальная «материальная революция».
Пьезоэлектрические пластины PZT: высокопроизводительные решения для МЭМС нового поколения20 2026-03

Пьезоэлектрические пластины PZT: высокопроизводительные решения для МЭМС нового поколения

В эпоху быстрого развития МЭМС (микроэлектромеханических систем) выбор правильного пьезоэлектрического материала является решающим решением для производительности устройства. Тонкопленочные пластины PZT (цирконат-титанат свинца) стали лучшим выбором по сравнению с такими альтернативами, как AlN (нитрид алюминия), обеспечивая превосходное электромеханическое соединение для современных датчиков и исполнительных механизмов.
Токоприемники высокой чистоты: ключ к производству индивидуальных полупроводниковых пластин в 2026 году14 2026-03

Токоприемники высокой чистоты: ключ к производству индивидуальных полупроводниковых пластин в 2026 году

Поскольку производство полупроводников продолжает развиваться в сторону передовых технологических узлов, более высокой степени интеграции и сложных архитектур, решающие факторы, влияющие на выход пластин, претерпевают незначительные изменения. В производстве полупроводниковых пластин по индивидуальному заказу решающим фактором в повышении производительности больше не являются базовые процессы, такие как литография или травление; токоприемники высокой чистоты все чаще становятся основной переменной, влияющей на стабильность и последовательность процесса.
Покрытие SiC против покрытия TaC: идеальная защита графитовых токоприемников при высокотемпературной полуобработке05 2026-03

Покрытие SiC против покрытия TaC: идеальная защита графитовых токоприемников при высокотемпературной полуобработке

В мире широкозонных полупроводников (WBG) если передовой производственный процесс является «душой», то графитовый токоприемник является «основой», а его поверхностное покрытие — критической «кожей».
Критическая ценность химико-механической планаризации (ХМП) в производстве полупроводников третьего поколения06 2026-02

Критическая ценность химико-механической планаризации (ХМП) в производстве полупроводников третьего поколения

В мире силовой электроники, где ставки высоки, карбид кремния (SiC) и нитрид галлия (GaN) возглавляют революцию — от электромобилей (EV) до инфраструктуры возобновляемых источников энергии. Однако легендарная твердость и химическая инертность этих материалов представляют собой серьезное препятствие для производства.
X
Мы используем файлы cookie, чтобы предложить вам лучший опыт просмотра, анализировать трафик сайта и персонализировать контент. Используя этот сайт, вы соглашаетесь на использование нами файлов cookie. политика конфиденциальности
Отклонять Принимать