В эпоху быстрого развития МЭМС (микроэлектромеханических систем) выбор правильного пьезоэлектрического материала является решающим решением для производительности устройства. Тонкопленочные пластины PZT (цирконат-титанат свинца) стали лучшим выбором по сравнению с такими альтернативами, как AlN (нитрид алюминия), обеспечивая превосходное электромеханическое соединение для современных датчиков и исполнительных механизмов.
Поскольку производство полупроводников продолжает развиваться в сторону передовых технологических узлов, более высокой степени интеграции и сложных архитектур, решающие факторы, влияющие на выход пластин, претерпевают незначительные изменения. В производстве полупроводниковых пластин по индивидуальному заказу решающим фактором в повышении производительности больше не являются базовые процессы, такие как литография или травление; токоприемники высокой чистоты все чаще становятся основной переменной, влияющей на стабильность и последовательность процесса.
В мире широкозонных полупроводников (WBG) если передовой производственный процесс является «душой», то графитовый токоприемник является «основой», а его поверхностное покрытие — критической «кожей».
В мире силовой электроники, где ставки высоки, карбид кремния (SiC) и нитрид галлия (GaN) возглавляют революцию — от электромобилей (EV) до инфраструктуры возобновляемых источников энергии. Однако легендарная твердость и химическая инертность этих материалов представляют собой серьезное препятствие для производства.
В производстве полупроводников процесс химико-механической планаризации (ХМП) является основным этапом достижения планаризации поверхности пластины, напрямую определяющим успех или неудачу последующих этапов литографии. Производительность полировальной суспензии, являющейся важнейшим расходным материалом в CMP, является решающим фактором в контроле скорости удаления (RR), минимизации дефектов и повышении общего выхода продукции.
В мире производства полупроводников, где ставки высоки, где точность и экстремальные условия сосуществуют, кольца фокусировки из карбида кремния (SiC) незаменимы. Эти компоненты, известные своей исключительной термостойкостью, химической стабильностью и механической прочностью, имеют решающее значение для современных процессов плазменного травления.
Секрет их высоких характеристик заключается в технологии Solid CVD (химическое осаждение из паровой фазы). Сегодня мы проведем вас за кулисы и познакомим вас с трудным производственным процессом — от необработанной графитовой подложки до высокоточного «невидимого героя» фабрики.
Мы используем файлы cookie, чтобы предложить вам лучший опыт просмотра, анализировать трафик сайта и персонализировать контент. Используя этот сайт, вы соглашаетесь на использование нами файлов cookie.
политика конфиденциальности