Пример картографии

На основе физического образца, предоставленного клиентом (даже если это изношенная или сломанная бывшая в употреблении деталь), мы предлагаем полный спектр услуг, начиная от обратного проектирования физической структуры и заканчивая определением физико-химических характеристик на уровне материала. Используя высокоточное инспекционное оборудование полупроводникового класса, мы точно определяем сложные трехмерные геометрические структуры, свойства интерфейса покрытие/подложка и физические параметры материала, гарантируя, что продукт, полученный методом обратного проектирования, соответствует или соответствует требованиям. превосходит стандарты OEM по физической подгонке, совместимости с процессами и сроку службы (замена по форме и функциям).

Что мы измеряем (технические результаты):

• Размерные и геометрические допуски:Используя высокоточные координатно-измерительные машины (КИМ) и оптические 3D-сканеры, мы выполняем полноразмерное моделирование облаков точек и реконструкцию сложных полостей и монтажных/расположенных отверстий, достигая точности на микронном уровне.
• Микроморфология и плоскостность поверхности:Использование интерферометров белого света и оптических профилометров для оценки шероховатости поверхности (Ra) и плоскостности большой площади в нанометровом масштабе, что соответствует требованиям по обращению с пластинами и герметизации камер.
• Краевые микрофункции:Картирование R-радиусов кромок и микропрофилей фасок с большим увеличением для оптимизации морфологии подъема покрытия и предотвращения концентрации напряжений в острых углах, которые могут вызвать высокотемпературное расслоение.
• Графитовая подложка и анализ термического соответствия:Оценка плотности подложки из графита высокой чистоты, размера зерна и коэффициента теплового расширения (КТР) для обеспечения соответствия термических напряжений между подложкой и покрытием CVD.
• Поперечное сечение покрытия и качество межфазного соединения:Неразрушающий РФА и металлографический анализ поперечного сечения СЭМ для измерения абсолютной толщины, радиальной однородности покрытия CVD и глубины проникновения межфазной границы.
• Фазовая структура и микрокристаллический анализ:Рентгеновская оценка чистоты кубической фазы (β-SiC) CVD-SiC; качественная оценка химической стехиометрии и характеристик кристаллической структуры CVD TaC.

Реальный случай и преимущества для клиентов (опыт):

Заказчик 12-дюймовых полупроводниковых компонентов для травления:OEM-поставки прекращены; В наличии была только одна изношенная б/у деталь. Благодаря обратному моделированию на КИМ + анализу поперечного сечения покрытия с помощью СЭМ мы завершили разработку запасных частей и испытания на инструменте в течение 2 месяцев без каких-либо оригинальных чертежей, добившись 100% соответствия установки. В конечном итоге цикл закупок комплектующих был сокращен с первоначального 6-месячного срока импорта до 2 месяцев, стоимость закупки единицы продукции снизилась на 42%, и эта модель стабильно поставлялась более чем 30 партиями.

Покрытие из карбида кремния (SiC) на поперечном сечении покрытия РЭМ

Часто задаваемые вопросы

Начните свою эксклюзивную услугу прямо сейчас