QR код
О нас
Продукты
Контакты


Факс
+86-579-87223657

Электронная почта

Адрес
Wangda Road, улица Цзыян, округ Уи, город Цзиньхуа, провинция Чжэцзян, Китай
Выбор подходящей комбинации подложки и покрытия является ключом к предотвращению преждевременного выхода из строя компонентов, уменьшению загрязнения частицами и максимальному увеличению выхода пластин. Мы предоставляем индивидуальные решения по материалам и конструкциям, соответствующие конкретному технологическому окну клиента (рабочая температура, химический состав реактивного газа, скорость изменения скорости).
| Покрытие | Типичные направления применения | Основные преимущества |
|---|---|---|
| CVD-карбид кремния | Эпитаксия Si/SiC (Epi), MOCVD, частичное плазменное травление | Высокая чистота, хорошая термическая стабильность, стойкость к химической коррозии, высокая общая экономичность. |
| ССЗ TaC | Высокотемпературный рост монокристаллов SiC (PVT), компоненты, несущие нагрузки при экстремально высоких температурах | Более высокая температура (> 1600 °C), высокая коррозионная стойкость, отличная стойкость к окислению. |
Ведущий производитель SiC-эпитаксии (Epi):В исходном компоненте использовалось неподходящее покрытие CVD TaC, что приводило к чрезмерному межфазному напряжению и частым микротрещинам при высокой температуре. Мы повторно запустили термодинамическое моделирование и переключились наСпециальная графитовая подложка высокой чистоты, соответствующая КТР + буферный слой + покрытие CVD-карбид кремниярешение. Результат: средний срок службы компонентов увеличился с 200 часов до 850 часов; годовая частота замены инструмента снизилась с 40 до 9 раз; Комплексная экономия затрат на эксплуатацию и обслуживание оборудования превысила 650 000 юаней в год.
Отчет об анализе чистоты GDMS для покрытий TaC и SiC
А:Обратите внимание на температуру процесса и интенсивность газофазной коррозии. Если температура процесса ниже 1000 °C и в основном используется травление на основе Cl₂/F₂ или традиционная эпитаксия, выберитеCVD-карбид кремниядля наилучшего соотношения цены и качества; если температура процесса превышает 1200 °C и происходит в сильно агрессивных средах (например, PVT-выращивание монокристаллов SiC), мы рекомендуемССЗ TaC, который обеспечивает превосходную температурную и коррозионную стойкость. Мы можем предоставить бесплатный отчет с рекомендациями по выбору на основе ваших конкретных параметров процесса.
А:Да! Для реверс-инжиниринга прототиповМинимальный заказ — 1 шт.. Для обычных простых деталей, от получения образца до доставки сопоставленной детали, самое быстрое время выполнения заказа составляет примерно10–15 рабочих дней; для деталей, требующих сложных процессов нанесения покрытия, это примерно20–25 рабочих дней. Свяжитесь с нашими инженерами для ускоренной оценки.
А:90% случаев расслоения вызваны несоответствием коэффициента термического расширения (КТР) графитовой подложки и покрытия, что приводит к усталостному отслаиванию при быстром нагреве/охлаждении. Наше решение: сначала точно измерьте кривую КТР исходной детали, затем специально отрегулируйте плотность подложки и градиент температуры осаждения, чтобы два КТР полностью совпадали. Прочность соединения можно повысить более чем до1,5 разатрадиционный уровень отрасли.
А:Каждый поставляемый продукт стандартно поставляется суникальный серийный номер + полный отчет CoA. Отчет включает в себя: данные проверки критических размеров на КИМ, карту распределения толщины многоточечного покрытия, значения шероховатости поверхности (Ra) и выводы анализа чистоты материала (GDMS).
Телефон: +86-18069220752(Тина);+86-15988690905(Сэра)
Электронная почта: anny@veteksemi.com