QR код
О нас
Продукты
Контакты


Факс
+86-579-87223657

Электронная почта

Адрес
Wangda Road, улица Цзыян, округ Уи, город Цзиньхуа, провинция Чжэцзян, Китай
Общая информация о продукте
|
Место происхождения: |
Китай |
|
Название бренда: |
Ветексемикон |
|
Номер модели: |
Графитовый токоприемник с покрытием SiC для ASM-01 |
|
Сертификация: |
ИСО9001 |
Условия сотрудничества с продуктом
|
Минимальное количество заказа: |
Предмет переговоров |
|
Цена: |
Контакт для индивидуального предложения |
|
Детали упаковки: |
Стандартный экспортный пакет |
|
Срок поставки: |
Срок доставки: 30-45 дней после подтверждения заказа |
|
Условия оплаты: |
Т/Т |
|
Возможность поставки: |
100 единиц/месяц |
✔ Приложение: Графитовая подложка с покрытием Veteksemicon SiC является ключевым расходным материалом для эпитаксиального оборудования серии ASM. Он непосредственно поддерживает пластину и обеспечивает однородное и стабильное тепловое поле во время высокотемпературной эпитаксии, что делает его основным компонентом для обеспечения высококачественного роста современных полупроводниковых материалов, таких как GaN и SiC.
✔ Услуги, которые могут быть предоставлены: анализ сценариев применения клиента, подбор материалов, решение технических проблем.
✔ Профиль компании:Ветексемикон имеет 2 лаборатории, команду экспертов с 20-летним опытом работы с материалами, обладающую возможностями исследований и разработок, а также производства, тестирования и проверки.
Технические параметры
|
проект |
параметр |
|
Применимые модели |
Эпитаксиальное оборудование серии АСМ |
|
Базовый материал |
Изостатический графит высокой чистоты и высокой плотности. |
|
Материал покрытия |
Пиролитический карбид кремния высокой чистоты |
|
Толщина покрытия |
Стандартная толщина составляет 80–150 мкм (настраивается в соответствии с технологическими требованиями заказчика) |
|
Шероховатость поверхности |
Поверхность покрытия Ra ≤ 0,5 мкм (возможна полировка в соответствии с технологическими требованиями) |
|
Гарантия последовательности |
Каждый продукт перед отправкой с завода проходит строгие внешние, размерные и вихретоковые испытания, чтобы гарантировать стабильное и надежное качество. |
1. Чрезвычайная чистота и низкий процент дефектов.
Используя специальную графитовую подложку высокой чистоты с мелкими частицами в сочетании со строго контролируемым процессом химического осаждения из паровой фазы (CVD), мы гарантируем, что покрытие будет плотным, без пор и примесей. Это значительно снижает риск загрязнения частицами во время эпитаксиального процесса, обеспечивая чистую среду подложки для роста высококачественных эпитаксиальных слоев.
2. Отличная коррозионная стойкость и износостойкость.
Пиролитическое покрытие из карбида кремния обладает чрезвычайно высокой твердостью и химической инертностью, эффективно сопротивляясь эрозии источников кремния (таких как SiH4, SiHCl3), источников углерода (таких как C3H8) и травильных газов (таких как HCl, H2) при высоких температурах. Это существенно продлевает цикл обслуживания базы и сокращает время простоя техники, вызванное заменой комплектующих.
3. Превосходная термическая однородность и стабильность.
Мы оптимизировали распределение теплового поля в диапазоне рабочих температур за счет точного проектирования структуры подложки и контроля толщины покрытия. Это напрямую приводит к превосходной однородности толщины и удельного сопротивления эпитаксиальной пластины, что способствует повышению производительности производства чипов.
4. Отличная адгезия покрытия.
Уникальная технология предварительной обработки поверхности и градиентного покрытия позволяет покрытию из карбида кремния образовывать прочный связующий слой с графитовой подложкой, эффективно предотвращая проблемы отслаивания, отслаивания или растрескивания покрытия, которые могут возникнуть во время длительного термоциклирования.
5. Точный размер и структурное копирование.
Мы обладаем развитыми возможностями обработки и тестирования на станках с ЧПУ, что позволяет нам полностью воспроизводить сложную геометрию, размеры полостей и монтажные интерфейсы исходного основания, обеспечивая идеальное соответствие и функциональность Plug-and-Play с платформой клиента.
6. Подтверждение проверки экологической цепочки
Графитовый токоприемник Veteksemicon с SiC-покрытием для проверки экологической цепочки ASM охватывает сырье и производство, прошел сертификацию по международным стандартам и имеет ряд запатентованных технологий, обеспечивающих его надежность и устойчивость в полупроводниковой и новой энергетической областях.
Для получения подробных технических спецификаций, официальных документов или организации образцовых испытаний свяжитесь с нашей командой технической поддержки, чтобы узнать, как Veteksemicon может повысить эффективность вашего процесса.
Основные области применения
|
Направление применения |
Типичный сценарий |
|
Производство силовых устройств SiC |
При гомоэпитаксиальном выращивании SiC подложка непосредственно поддерживает подложку из карбида кремния, контактируя с высокими температурами (более 1600°C) и газовой средой с высокой способностью к травлению. |
|
Производство радиочастотных и силовых устройств на основе кремния |
Используется для выращивания эпитаксиальных слоев на кремниевых подложках, служащих основой для производства высокопроизводительных силовых устройств, таких как биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT), сверхпереходные МОП-транзисторы и радиочастотные (РЧ) устройства. |
|
Эпитаксия сложных полупроводников третьего поколения |
Например, при гетероэпитаксиальном выращивании GaN-on-Si (нитрид галлия на кремнии) он служит ключевым компонентом, поддерживающим сапфировые или кремниевые подложки. |
Магазин продукции Ветексемикон
Адрес
Wangda Road, улица Цзыян, округ Уи, город Цзиньхуа, провинция Чжэцзян, Китай
Тел.
Электронная почта


+86-579-87223657


Wangda Road, улица Цзыян, округ Уи, город Цзиньхуа, провинция Чжэцзян, Китай
Авторские права © 2024 WuYi TianYao New Material Tech.Co.,Ltd. Все права защищены.
Links | Sitemap | RSS | XML | политика конфиденциальности |
