Продукты
Графитовый токоприемник с покрытием SiC для ASM
  • Графитовый токоприемник с покрытием SiC для ASMГрафитовый токоприемник с покрытием SiC для ASM

Графитовый токоприемник с покрытием SiC для ASM

Графитовый токоприемник с покрытием Veteksemicon SiC для ASM является основным компонентом-носителем в эпитаксиальных процессах полупроводников. В этом продукте используется наша запатентованная технология пиролитического покрытия из карбида кремния и прецизионные процессы механической обработки, обеспечивающие превосходную производительность и сверхдлительный срок службы в высокотемпературных и агрессивных технологических средах. Мы глубоко понимаем строгие требования эпитаксиальных процессов к чистоте подложки, термической стабильности и консистенции и стремимся предоставлять клиентам стабильные и надежные решения, повышающие общую производительность оборудования.

Общая информация о продукте


Место происхождения:
Китай
Название бренда:
Мой соперник
Номер модели:
Графитовый токоприемник с покрытием SiC для ASM-01
Сертификация:
ИСО9001


Условия сотрудничества с продуктом


Минимальное количество заказа:
Предмет переговоров
Цена:
Контакт для индивидуального предложения
Детали упаковки:
Стандартный экспортный пакет
Срок поставки:
Срок доставки: 30-45 дней после подтверждения заказа
Условия оплаты:
Т/Т
Возможность поставки:
100 единиц/месяц


✔ Приложение: Графитовая подложка с покрытием Veteksemicon SiC является ключевым расходным материалом для эпитаксиального оборудования серии ASM. Он непосредственно поддерживает пластину и обеспечивает однородное и стабильное тепловое поле во время высокотемпературной эпитаксии, что делает его основным компонентом для обеспечения высококачественного роста современных полупроводниковых материалов, таких как GaN и SiC.

✔ Услуги, которые могут быть предоставлены: анализ сценариев применения клиента, подбор материалов, решение технических проблем. 

✔ Профиль компании:Ветексемикон имеет 2 лаборатории, команду экспертов с 20-летним опытом работы с материалами, обладающую возможностями исследований и разработок, а также производства, тестирования и проверки.


Технические параметры


проект
параметр
Применимые модели
Эпитаксиальное оборудование серии АСМ
Базовый материал
Изостатический графит высокой чистоты и высокой плотности.
Материал покрытия
Пиролитический карбид кремния высокой чистоты
Толщина покрытия
Стандартная толщина составляет 80–150 мкм (настраивается в соответствии с технологическими требованиями заказчика)
Шероховатость поверхности
Поверхность покрытия Ra ≤ 0,5 мкм (возможна полировка в соответствии с технологическими требованиями)
Гарантия последовательности
Каждый продукт перед отправкой с завода проходит строгие внешние, размерные и вихретоковые испытания, чтобы гарантировать стабильное и надежное качество.


Графитовый токоприемник с покрытием Veteksemicon SiC для преимуществ сердечника ASM


1. Чрезвычайная чистота и низкий процент дефектов.

Используя специальную графитовую подложку высокой чистоты с мелкими частицами в сочетании со строго контролируемым процессом химического осаждения из паровой фазы (CVD), мы гарантируем, что покрытие будет плотным, без пор и примесей. Это значительно снижает риск загрязнения частицами во время эпитаксиального процесса, обеспечивая чистую среду подложки для роста высококачественных эпитаксиальных слоев.


2. Отличная коррозионная стойкость и износостойкость.

Пиролитическое покрытие из карбида кремния обладает чрезвычайно высокой твердостью и химической инертностью, эффективно сопротивляясь эрозии источников кремния (таких как SiH4, SiHCl3), источников углерода (таких как C3H8) и травильных газов (таких как HCl, H2) при высоких температурах. Это существенно продлевает цикл обслуживания базы и сокращает время простоя техники, вызванное заменой комплектующих.


3. Превосходная термическая однородность и стабильность.

Мы оптимизировали распределение теплового поля в диапазоне рабочих температур за счет точного проектирования структуры подложки и контроля толщины покрытия. Это напрямую приводит к превосходной однородности толщины и удельного сопротивления эпитаксиальной пластины, что способствует повышению производительности производства чипов.


4. Отличная адгезия покрытия.

Уникальная технология предварительной обработки поверхности и градиентного покрытия позволяет покрытию из карбида кремния образовывать прочный связующий слой с графитовой подложкой, эффективно предотвращая проблемы отслаивания, отслаивания или растрескивания покрытия, которые могут возникнуть во время длительного термоциклирования.


5. Точный размер и структурное копирование.

Мы обладаем развитыми возможностями обработки и тестирования на станках с ЧПУ, что позволяет нам полностью воспроизводить сложную геометрию, размеры полостей и монтажные интерфейсы исходного основания, обеспечивая идеальное соответствие и функциональность Plug-and-Play с платформой клиента.


6. Подтверждение проверки экологической цепочки

Графитовый токоприемник Veteksemicon с SiC-покрытием для проверки экологической цепочки ASM охватывает сырье и производство, прошел сертификацию по международным стандартам и имеет ряд запатентованных технологий, обеспечивающих его надежность и устойчивость в полупроводниковой и новой энергетической областях.

Для получения подробных технических спецификаций, официальных документов или организации образцовых испытаний свяжитесь с нашей командой технической поддержки, чтобы узнать, как Veteksemicon может повысить эффективность вашего процесса.


Основные области применения


Направление применения
Типичный сценарий
Производство силовых устройств SiC
При гомоэпитаксиальном выращивании SiC подложка непосредственно поддерживает подложку из карбида кремния, контактируя с высокими температурами (более 1600°C) и газовой средой с высокой способностью к травлению.
Производство радиочастотных и силовых устройств на основе кремния
Используется для выращивания эпитаксиальных слоев на кремниевых подложках, служащих основой для производства высокопроизводительных силовых устройств, таких как биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT), сверхпереходные МОП-транзисторы и радиочастотные (РЧ) устройства.
Эпитаксия сложных полупроводников третьего поколения
Например, при гетероэпитаксиальном выращивании GaN-on-Si (нитрид галлия на кремнии) он служит ключевым компонентом, поддерживающим сапфировые или кремниевые подложки.


Магазин продукции Ветексемикон


Veteksemicon products shop

Горячие Теги: Графитовый токоприемник с покрытием SiC для ASM
Отправить запрос
Контакты
  • Адрес

    Wangda Road, улица Цзыян, округ Уи, город Цзиньхуа, провинция Чжэцзян, Китай

  • Электронная почта

    anny@veteksemi.com

По вопросам о покрытии из карбида кремния, покрытии из карбида тантала, специальном графите или прайс-листе оставьте нам свой адрес электронной почты, и мы свяжемся с вами в течение 24 часов.
X
Мы используем файлы cookie, чтобы предложить вам лучший опыт просмотра, анализировать трафик сайта и персонализировать контент. Используя этот сайт, вы соглашаетесь на использование нами файлов cookie. политика конфиденциальности
Отклонять Принимать