8-дюймовая полукруглая деталь для реактора LPE

Как профессиональный производитель, компания VeTek Semiconductor хотела бы предоставить вам высококачественную 8-дюймовую деталь полумесяца для реактора LPE.

Полумесяц VeTek Semiconductor диаметром 8 дюймов для реактора LPE является важным компонентом, используемым в процессах производства полупроводников, особенно в эпитаксиальном оборудовании SiC. VeTek Semiconductor использует запатентованную технологию для производства 8-дюймовых полукруглых деталей для реактора LPE, гарантируя, что они обладают исключительной чистотой, равномерным покрытием и выдающейся долговечностью. Кроме того, эти детали обладают замечательной химической стойкостью и термостабильностью.

Основная часть 8-дюймовой полукруглой части реактора LPE изготовлена ​​из графита высокой чистоты, который обеспечивает превосходную теплопроводность и механическую стабильность. Графит высокой чистоты выбран из-за низкого содержания примесей, что обеспечивает минимальное загрязнение в процессе эпитаксиального роста. Его надежность позволяет ему выдерживать сложные условия внутри реактора LPE.

Детали полумесяца VeTek Semiconductor с графитовым покрытием SiC производятся с максимальной точностью и вниманием к деталям. Высокая чистота используемых материалов гарантирует превосходную производительность и надежность при производстве полупроводников. Равномерное покрытие этих деталей обеспечивает стабильную и эффективную работу на протяжении всего срока службы.

Одним из ключевых преимуществ наших полумнунных частей с графитом с покрытием SIC является их превосходная химическая устойчивость. Они могут противостоять коррозионному характеру производственной среды полупроводникового производства, обеспечивая длительную долговечность и минимизируя необходимость в частых заменах. Более того, их исключительная термическая стабильность позволяет им поддерживать свою структурную целостность и функциональность в высокотемпературных условиях.

Наши детали полумесяца с графитовым покрытием SiC были тщательно разработаны с учетом строгих требований эпитаксиального оборудования SiC. Благодаря своей надежной работе эти детали способствуют успеху процессов эпитаксиального выращивания, позволяя наносить высококачественные пленки SiC.

CVD SIC COTPAT PLIM Кристаллическая структура ：