Продукты

CVD SIC SIC Pempector-это передовое решение для полупроводниковых эпитаксиальных процессов, предлагающих ультра-высокую чистоту (≤100ppb, сертифицированные ICP-E10) и исключительную термическую/химическую стабильность для резистентного роста GAN, SIC и Silicon. Инженерный с точной технологией CVD, он поддерживает 6 ”/8”/12 ”, обеспечивает минимальное тепловое напряжение и выдерживает экстремальные температуры до 1600 ° C.

Наш планетарный Presceptor, покрытый SIC, является основным компонентом в процессе высокой температуры производства полупроводников. Его конструкция объединяет графитовую субстрат с кремниевым карбидным покрытием для достижения комплексной оптимизации производительности теплового управления, химической стабильности и механической прочности.

Наши пористые керамические пластины SIC представляют собой пористые керамические материалы из кремниевого карбида в качестве основного компонента и обрабатываются специальными процессами. Они представляют собой необходимые материалы в производстве полупроводников, химическом осаждении паров (ССЗ) и других процессах.

Наше герметизирующее кольцо с покрытием SIC для эпитаксии представляет собой высокопроизводительный герметизирующий компонент, основанный на графитовых или углеродных композитах, покрытых высокочислительным кремниевым карбидом (SIC) химическим осаждением пара (CVD), который сочетает в себе термическую стабильность графита с экстремальной экологической сопротивлением SIC и предназначена для полуксадочного оборудования (E.G.

Наша кварцевая лодка с высокой чистотой изготовлена ​​из слитого кварца (содержание SIO₂ ≥ 99,99%). Благодаря превосходной устойчивости к экстремальной среде, низкому коэффициенту термического расширения и длительным жизненным циклом, он стал незаменимым ключевым расходным материалом в полупроводнике и новой энергетической промышленности.

Кольцо с фокусировкой для травления является ключевым компонентом для обеспечения точности и стабильности процесса. Эти компоненты точно собираются в вакуумной камере для достижения равномерной обработки наноразмерных конструкций на поверхности пластины посредством точного контроля распределения плазмы, температуры края и однородности электрического поля.