Технология MOCVD

VeTek Semiconductor имеет преимущества и опыт в области запасных частей для технологии MOCVD.

MOCVD, полное название металлоорганического химического осаждения из паровой фазы (металлоорганическое химическое осаждение из паровой фазы), также можно назвать металлоорганической эпитаксией из паровой фазы. Металлоорганические соединения – это класс соединений со связями металл-углерод. Эти соединения содержат по крайней мере одну химическую связь между металлом и атомом углерода. Металлоорганические соединения часто используются в качестве прекурсоров и могут образовывать тонкие пленки или наноструктуры на подложке с помощью различных методов осаждения.

Химическое осаждение из паровой фазы металлорганических соединений (технология MOCVD) является распространенной технологией эпитаксиального выращивания, технология MOCVD широко используется в производстве полупроводниковых лазеров и светодиодов. Особенно при производстве светодиодов MOCVD является ключевой технологией производства нитрида галлия (GaN) и родственных материалов.

Существует две основные формы эпитаксии: жидкофазная эпитаксия (LPE) и парофазная эпитаксия (VPE). Газофазную эпитаксию можно разделить на химическое осаждение из паровой фазы металлорганических соединений (MOCVD) и молекулярно-лучевую эпитаксию (MBE).

Иностранные производители оборудования представлены в основном Aixtron и Veeco. Система MOCVD является одним из ключевых устройств для производства лазеров, светодиодов, фотоэлектрических компонентов, силовых, радиочастотных устройств и солнечных элементов.

Основные характеристики запасных частей по технологии MOCVD, производимых нашей компанией:

1) Высокая плотность и полная герметизация: графитовая основа в целом находится в высокотемпературной и агрессивной рабочей среде, поверхность должна быть полностью обернута, а покрытие должно иметь хорошее уплотнение, чтобы играть хорошую защитную роль.

2) Хорошая плоскостность поверхности: поскольку графитовая основа, используемая для выращивания монокристаллов, требует очень высокой плоскостности поверхности, первоначальная плоскостность основы должна сохраняться после подготовки покрытия, то есть слой покрытия должен быть однородным.

3) Хорошая прочность сцепления: уменьшает разницу в коэффициенте теплового расширения между графитовой основой и материалом покрытия, что может эффективно улучшить прочность связи между ними, а покрытие нелегко расколоть после воздействия высоких и низких температур. цикл.

4) Высокая теплопроводность: для качественного роста стружки требуется, чтобы графитовая основа обеспечивала быстрый и равномерный нагрев, поэтому материал покрытия должен иметь высокую теплопроводность.

5) Высокая температура плавления, стойкость к высокотемпературному окислению, коррозионная стойкость: покрытие должно стабильно работать в высокотемпературной и агрессивной рабочей среде.

Поместите 4-дюймовую подложку
Сине-зеленая эпитаксия для выращивания светодиодов
Размещен в реакционной камере
Прямой контакт с пластиной Поместите 4-дюймовую подложку
Используется для выращивания эпитаксиальной пленки УФ-светодиодов.
Размещен в реакционной камере
Прямой контакт с пластиной Машина Veeco K868/Veco K700
Белая светодиодная эпитаксия/сине-зеленая светодиодная эпитаксия Используется в оборудовании VEECO
Для эпитаксии MOCVD
Датчик покрытия SiC Оборудование Aixtron TS
Глубокая ультрафиолетовая эпитаксия
2-дюймовая подложка Оборудование Вико
Красно-желтая светодиодная эпитаксия
4-дюймовая вафельная подложка Датчик с покрытием TaC
(Приемник SiC Epi/UV LED) Токоприемник с карбидом кремния
(ALD/Si Epi/LED MOCVD Susceptor)