Технология MOCVD

SIC SIC MoCVD, покрытый SIC, является устройством с отличным процессом, долговечностью и надежностью. Они могут противостоять высокой температуре и химической среде, поддерживать стабильные характеристики и длительный срок службы, тем самым снижая частоту замены и обслуживания и повышая эффективность производства. Наш MoCVD Epitaxial Repector известен своей высокой плотностью, превосходной плоскостностью и превосходным тепловым контролем, что делает его предпочтительным оборудованием в суровых производственных средах. С нетерпением жду сотрудничества с вами.

Эпитаксиальный токоприемник GaN на основе кремния является основным компонентом, необходимым для эпитаксиального производства GaN. Эпитаксиальный токоприемник GaN на основе кремния Veteksemicon специально разработан для эпитаксиальных реакторных систем GaN на основе кремния и обладает такими преимуществами, как высокая чистота, отличная стойкость к высоким температурам и коррозионная стойкость. Добро пожаловать на дальнейшую консультацию.