Рецептор Aixtron MOCVD

Суцепторы производстваЭто полупроводникизготовлены из графитового субстрата и кремниевого карбида (SIC) материала покрытия. Учитывая более высокую устойчивость к износу, коррозионную стойкость и чрезвычайно высокую твердость материала SIC, она особенно подходит для использования в суровых процессовых средах. Следовательно, восприимчики, полученные с помощью полупроводника Vetek, могут быть непосредственно использованы в высокотемпературных процессах MOCVD без дополнительной обработки поверхности.

Суцепторы являются ключевыми компонентами в производстве полупроводников, особенно в оборудовании MOCVD для процессов осаждения тонких пленок. Основная рольAIXTRON: Итак, поддержкаВ процессе MOCVD есть полупроводниковые пластины, обеспечить равномерное и высококачественное осаждение тонких пленок, обеспечивая равномерное распределение тепла и реакционную среду, тем самым достигая высококачественной продукции тонкой пленки.

Рецептор Aixtron MOCVDобычно используется для поддержки и фиксации основания полупроводниковых пластин, чтобы обеспечить стабильность пластины во время процесса осаждения. В то же время поверхностное покрытие датчика Aixtron MOCVD выполнено из карбида кремния (SiC), материала с высокой теплопроводностью. Покрытие SiC обеспечивает равномерную температуру на поверхности пластины, а равномерный нагрев необходим для получения пленок высокого качества.

Более того,Рецептор Aixtron MOCVDкоторую мы производим, играет большую роль в контроле потока и распределения химически активных газов за счет оптимизированной конструкции материалов. Избегайте вихревых токов и температурных градиентов, чтобы добиться равномерного осаждения пленки.

Что еще более важно, в процессе MOCVD кремниевый карбид (SIC) материал покрытия имеет коррозионную стойкость, поэтомуЭто полупроводникS.Рецептор Aixtron MOCVDможет также выдерживать высокие температуры и коррозионные газы.

Базовые физические свойстваПОКРЫТИЕ SIC:

Магазины вафельных лодок VeTek Semiconductor:

Обзор производственной цепочки эпитаксии полупроводниковых чипов: