Покрытие из карбида кремния

В качестве профессионального производителя и поставщика карбидного керамического покрытия и поставщика в Китае в Китае керамическое покрытие из карбида карбида Vetek широко используется для ключевых компонентов оборудования для производства полупроводников, особенно когда участвуют процессы CVD и PECVD. Добро пожаловать ваш запрос.

EPI -восприятие предназначено для требовательных применений эпитаксиального оборудования. Его графитовая структура с высокой точностью кремниевого карбида (SIC) обеспечивает превосходную теплостойкость, равномерную термообработку для постоянной толщины и сопротивления эпитаксиального слоя и длительного химического сопротивления. Мы с нетерпением ждем возможности сотрудничать с вами.

Являясь профессиональным производителем и поставщиком подложек с SiC-подложками, компания Vetek Semiconductor в основном используется для улучшения однородности роста эпитаксиального слоя, обеспечивая их стабильность и целостность в условиях высоких температур и агрессивных сред.

Vetek Semiconductor - это производитель Professional Professional Ald в Китае. Vetek совместно разработал и создал планетарные базы ALD с покрытием SIC с производителями системы ALD для удовлетворения высоких требований процесса ALD. Приветствую вашу консультацию.

Поток CVD SIC Vetek Seconductor обладает отличными свойствами, такими как высокая температурная сопротивление, коррозионная стойкость, высокая твердость и низкий коэффициент термического расширения, что делает его идеальным выбором материала при производстве полупроводников. Как ведущий китайский производитель потолочных потолков и поставщик CVD SIC, Vetek Semiconductor с нетерпением ждет вашей консультации.

Vetek Semiconductor является профессиональным производителем MOCVD LED EPI Repector в Китае. Наш MOCVD LED EPI Remeptor предназначен для требования применения эпитаксиального оборудования. Его высокая теплопроводность, химическая стабильность и долговечность являются ключевыми факторами для обеспечения стабильного процесса эпитаксиального роста и полупроводникового производства пленки.