Направляющее кольцо из пористого графита

Основные преимущества продукта

1. Сверхвысокая чистота и гарантия низкого уровня дефектов.

Применяется процесс вакуумной высокотемпературной очистки при температуре 3000 ℃ для глубокого удаления неметаллических примесей, таких как кислород и азот, что повышает чистоту продукта до ≥99,9995%. Он устраняет кристаллические дефекты, вызванные примесями (например, микротрубочки, дислокации) из источника, обеспечивая согласованность и стабильность электрических свойств монокристаллов SiC и закладывая прочную основу для высококачественного роста кристаллов.

2. Сверхвысокая температурная стабильность и точное регулирование теплового поля.

Может выдерживать экстремально высокие температуры до 2200 ℃ в среде аргона или вакуума, работать непрерывно и стабильно более 1000 часов без размягчения и деформации. Продукт имеет низкий коэффициент теплового расширения, что позволяет эффективно избежать растрескивания материала, вызванного термическим напряжением. Он поддерживает дизайн градиентного распределения пористости (15-30%) и оптимизирует размер пор (10-200 мкм) в сочетании с технологией моделирования CFD (вычислительная гидродинамика), контролируя колебания температурного градиента в пределах ± 3 ℃ и значительно улучшая однородность теплового поля и стабильность роста кристаллов.

3. Индивидуальная адаптация и полное удовлетворение сценария

• Адаптация геометрической формы: позволяет точно обрабатывать сложные формы, такие как кольцевые бочки и многослойные защитные конструкции, в соответствии с конструкциями печей клиентов, чтобы добиться идеального соответствия и установки.
• Настройка обработки поверхности: предоставляет индивидуальные услуги по обработке поверхности, такие как сверхточная полировка и специальные покрытия, что значительно повышает коррозионную стойкость продукта и увеличивает срок его службы.

4. Проверенная производительность и повышенная эффективность

• При использовании в качестве основного компонента теплового поля в процессе PVT-кристаллизации SiC он был проверен в практических сценариях:
• Скорость роста кристаллов увеличивается на 15-20% по сравнению с традиционными графитовыми изделиями, что значительно сокращает производственный цикл.
• Выход 4-дюймовых монокристаллических пластин SiC превышает 90%, что эффективно снижает производственные затраты.
• Цикл обслуживания оборудования увеличен с обычных 3 месяцев до 6 месяцев, что снижает частоту остановок и повышает эффективность производства.
  
  

Сценарии применения

• Узел печи для выращивания PVT: служит основным компонентом для сублимации материала SiC и роста кристаллов, обеспечивая стабильное и равномерное распределение теплового поля для обеспечения плавного хода процесса кристаллизации.
• Компонент, экранирующий тепловое поле: уникальная пористая структура может эффективно смягчать тепловые нагрузки, снижать износ оборудования и продлевать общий срок службы оборудования.
• Аксессуар для поддержки затравочных кристаллов: Обладает высокой механической прочностью для стабильной поддержки затравочных кристаллов, обеспечивая точность направленного роста кристаллов.
• Газодиффузионный слой: оптимизирует эффективность газофазного переноса, способствует равномерной сублимации и осаждению сырья, а также дополнительно улучшает качество и скорость роста монокристаллов.

Технические параметры

Основные конкурентные преимущества

• Экстремально высокие температуры: сохраняет структурную стабильность при температуре 2200 ℃ без размягчения и деформации, обеспечивая непрерывную работу в течение более 1000 часов для удовлетворения экстремальных технологических требований.
• Индивидуальное решение для термического поля: использует технологию CFD-моделирования для оптимизации конструкции градиента пор, точного соответствия технологическим потребностям клиентов и улучшения однородности кристаллов и выхода продукта.
• Служба быстрого реагирования: предоставляет услуги по тестированию соответствия параметров процесса и предоставляет прототипы решений в течение 72 часов, помогая клиентам ускорить процессы исследований, разработок и производства.