SIC запечатывающая часть

SIC CELENTING PART играет ключевую роль в полупроводниковой обработке. Его превосходные свойства материала и надежный эффект герметизации не только повышают эффективность производства, но и обеспечивают качество и безопасность продукта.

Основные преимущества герметичной части кремния:

Отличная коррозионная стойкость: Среди передовых керамических материалов, герметичная часть Veteksemi может обладать лучшей коррозионной устойчивостью в кислых и щелочных средах. Эта беспрецедентная коррозионная устойчивость гарантирует, что герметизационная часть SIC может эффективно работать в химически коррозионных средах, что делает ее незаменимым материалом в отраслях, которые часто подвергаются воздействию коррозионных веществ.

Легкий и сильный: Силиконовый карбид имеет плотность приблизительно 3,2 г/смЧ нетерпением, и, несмотря на легкий керамический материал, прочность кремниевого карбида сопоставима с прочностью алмаза. Эта комбинация легкость и прочности повышает производительность механических компонентов, тем самым повышая эффективность и снижая износ в требовании промышленного применения. Легкая природа герметичной части SIC также облегчает обработку и установку компонентов.

Чрезвычайно высокая твердость и высокая теплопроводность: Силиконовый карбид имеет твердость MOHS 9 ~ 10, сравнимо с Diamond. Это свойство в сочетании с высокой теплопроводности (приблизительно 120-200 Вт/м · K при комнатной температуре) позволяет SIC-уплотнениям функционировать в условиях, которые повредят нижние материалы. Превосходные механические свойства SIC поддерживаются при температуре до 1600 ° C, гарантируя, что уплотнения SIC остаются надежными и надежными даже в высокотемпературных приложениях.

Высокая твердость и стойкость к износу: Кремниевый карбид характеризуется сильными ковалентными связями в его кристаллической решетке, придавая ему высокую твердость и значительный модуль упругости. Эти свойства приводят к превосходной износостойкости, снижая вероятность изгиба или деформации даже после долгосрочного использования. Это делает SIC отличным выбором для запечатанных деталей SIC, которые подвергаются непрерывному механическому напряжению и абразивным условиям.

Защитное образование диоксидного слоя кремния: При воздействии температуры приблизительно 1300 ° C в окружающей среде, богатой кислородом, карбид кремния образует защитный диоксид кремния (SIO₂) слой на его поверхности. Этот слой действует как барьер, предотвращая дальнейшее окисление и химические взаимодействия. Как SIO₂слой утолщается, он дополнительно защищает базовый SIC от других реакций. Этот самоограничивающий процесс окисления дает SIC превосходную химическую устойчивость и стабильность, что делает SIC-уплотнения, подходящими для использования в реактивной и высокотемпературной среде.

Универсальность в высокопроизводительных приложениях:Уникальные свойства кремниевого карбида делают его универсальным и эффективным в различных высокопроизводительных приложениях. От механических уплотнений и подшипников до теплообменников и компонентов турбины, способность SIC Creating Part выдерживать экстремальные условия и поддерживать его целостность, делает его материалом в расширенных инженерных решениях.

Vetek Semiconductor был привержен предоставлению передовых технологий и продуктов для полупроводниковой промышленности. Кроме того, наши продукты SIC также включаютКремниевое карбидовое покрытие, Керамика из карбида кремнияиSIC Эпитаксии процесспродукция Добро пожаловать в дальнейшую консультацию.

СЭМа данных кристаллической структуры пленки CVD SIC：