Продукты

Gan On SIC EPI Repector играет жизненно важную роль в обработке полупроводников благодаря своей превосходной теплопроводности, высокотемпературной способности и химической стабильности и обеспечивает высокую эффективность и качество материала процесса эпитаксиального роста GAN. Vetek Semiconductor - профессиональный производитель China Professional Gan On SIC EPI Repector, мы искренне с нетерпением ждем вашей дальнейшей консультации.

CVD TAC Cating Caterier в основном предназначен для эпитаксиального процесса производства полупроводников. Ультра-высокая температура плавления с CVD TAC, превосходная коррозионная стойкость и выдающаяся тепловая стабильность определяют незаменимость этого продукта в полупроводниковом эпитаксиальном процессе. Добро пожаловать в свой дальнейший запрос.

Перегородка CVD CVD SIC в основном используется в эпитаксии SI. Обычно используется с бочками для удлинения кремния. Он сочетает в себе уникальную высокую температуру и стабильность перегородки с покрытием CVD SIC, которая значительно улучшает равномерное распределение воздушного потока в производстве полупроводников. Мы считаем, что наши продукты могут принести вам передовые технологии и высококачественные решения для продуктов.

Графитный цилиндр CVD SIC Vetek Seconductor имеет ключевое значение в полупроводниковом оборудовании, служит защитным экраном в реакторах для защиты внутренних компонентов в условиях высокой температуры и давления. Он эффективно придерживается химикатов и экстремального тепла, сохраняя целостность оборудования. Благодаря исключительному износу и коррозионной стойкости, это обеспечивает долговечность и стабильность в сложных условиях. Использование этих покрытий повышает производительность полупроводникового устройства, продлевает срок службы и снижает требования к техническому обслуживанию и риски повреждения.

Сопели с покрытием CVD SIC - это важные компоненты, используемые в процессе эпитаксии LPE SIC для отложения кремниевых карбидных материалов во время производства полупроводников. Эти форсунки обычно изготавливаются из высокотемпературного и химически стабильного кремниевого карбида, чтобы обеспечить стабильность в суровых средах обработки. Предназначенные для равномерного осаждения, они играют ключевую роль в управлении качеством и однородностью эпитаксиальных слоев, выращенных в полупроводниковых приложениях. Добро пожаловать в свой дальнейший запрос.

Защитник CVD SIC Vetek Seconductor Используется Epitaxy LPE SIC, термин «LPE» обычно относится к эпитаксии низкого давления (LPE) при химическом осаждении паров с низким давлением (LPCVD). В производстве полупроводников LPE является важной технологией процесса для выращивания монокристаллических тонких пленок, часто используемых для выращивания кремниевых эпитаксиальных слоев или других полупроводниковых эпитаксиальных слоев. PLS Не стесняйтесь обращаться к нам для получения дополнительных вопросов.