Продукты

В полупроводнике Vetek на графитовых тепловых полях тщательно разработаны для соответствия строгим стандартам фотоэлектрической промышленности, обеспечивая оптимальную производительность и эффективность в различных приложениях. Мы стремимся к производству высокопроизводительных графитовых тепловых полей, которые предлагают исключительное качество и экономическую эффективность. PPLS не стесняется связаться с нами для любого технического вопроса или цены.

Потягивающий кремниевый монокристаллический джиг предназначен для обеспечения чистоты пластин и точного контроля горячих зон во время кристаллизации, предлагая устойчивые и эффективные решения для фотоэлектрической промышленности. Veteksemicon с нетерпением ожидает продолжительного сотрудничества с вами.

Тепловое поле монокристаллической кремниевой печи использует графит в качестве тигля, и использует нагреватель, направляющее кольцо, кронштейн и держатель горшка из изостатического нажатого графита, чтобы обеспечить прочность и чистоту графитового типиля. Vetek Semiconductor производит тигр для монокристаллического кремния, долгой жизни, высокой чистоты, добро пожаловать, чтобы проконсультироваться с нами.

Vetek Semiconductor фокусируется на исследованиях и разработках и индустриализации покрытия CVD SIC и покрытия CVD TAC. В качестве примера, принимая SIC Covert Povertor, продукт высоко обрабатывается с высокой точностью, плотным покрытием CVD SIC, высокой температурной сопротивлением и сильной коррозионной стойкостью. Ваше запрос на нас приветствуется.

Блок CVD SIC для роста кристаллов SIC - это новое сырье с высокой чистотой, разработанное Vetek Semiconductor. Он имеет высокий уровень ввода-вывода и может выращивать высококачественные монокристаллы из карбида большого размера, который является материалом второго поколения для замены порошка, используемого на рынке сегодня. Добро пожаловать, чтобы обсудить технические вопросы.

Сверхугольственная чистота Vetek Semiconductor Custer-Sulathon Carbide (SIC), образованная химическим отложением паров (CVD), рекомендуется использовать в качестве исходного материала для растущего кристаллов карбида кремния с помощью физического транспорта паров (PVT). При росте Crystal SIC Новая технология исходный материал загружается в тигб и сублимирован на кристалл семян. Используйте блоки CVD-SIC высокой чистоты, чтобы быть источником для выращивания кристаллов SIC. Добро пожаловать, чтобы установить партнерство с нами.