Порошок карбида кремния (SiC) высокой чистоты

Ключевые особенности
• Чистота может достигать 99,9999 % — это 6N.

• Металлические примеси сохраняются на низком уровне.

• Данные испытаний GDMS доступны по запросу.

• Поведение сублимации остается неизменным от партии к партии

• Меньший риск загрязнения во время обработки.

• Распределение частиц по размерам контролируется

• Вы также можете запросить индивидуальный размер частиц.

• Контроль качества соответствует стандартам полупроводникового уровня.

Диапазон размеров частиц:

Чистота порошка: 

Технические характеристики:

Приложения

• Выращивание монокристаллов SiC (PVT)

• Проводящие и полуизолирующие подложки SiC

• Полупроводниковые материалы

• Улучшенная керамика

• Исследования и разработки

Почему выбирают VeTek Semiconductor?

• Передовая технология очистки

• Контроль качества полупроводникового уровня

• Индивидуальные параметры размера частиц

• Стабильные и надежные поставки

• Техническая поддержка приложений для выращивания кристаллов.