Продукты
Полумесяц для реакционной камеры ЖФЭ
  • Полумесяц для реакционной камеры ЖФЭПолумесяц для реакционной камеры ЖФЭ
  • Полумесяц для реакционной камеры ЖФЭПолумесяц для реакционной камеры ЖФЭ
  • Полумесяц для реакционной камеры ЖФЭПолумесяц для реакционной камеры ЖФЭ

Полумесяц для реакционной камеры ЖФЭ

Halfmoon — это графитовый компонент, используемый внутри реакторов LPE SiC, в основном устанавливаемый вокруг горячей зоны камеры. Хотя он не контактирует напрямую с пластиной, он по-прежнему играет роль в стабильности газового потока и работе реактора во время эпитаксиального выращивания. Чтобы выдерживать высокие температуры и реакционные условия процесса, компонент обычно защищается CVD-покрытием SiC, в то время как покрытие TaC также доступно для некоторых применений. VETEK также поставляет изоляцию из графитового войлока и другие детали из графита с покрытием для систем эпитаксии SiC.

Что такое полумесяц в реакционной камере ЖФЭ?

Halfmoon in an LPE Reaction Chamber Diagram

Во многих горизонтальных реакторах LPE Halfmoon является частью узла внутренней камеры. Разные производители оборудования могут использовать несколько разные конструкции, но функции в целом схожи. Компонент обычно разделяется на верхнюю и нижнюю части:

  • Верхний полумесяц:Верхняя часть в основном работает как опорная конструкция внутри реактора. Поскольку материал остается вблизи зоны высокотемпературного процесса в течение длительного времени, он должен оставаться стабильным без явной деформации после повторяющихся термических циклов. Еще одним важным моментом является химическая стабильность. Во время эпитаксии SiC среда камеры содержит химически активные газы, поэтому поверхность графита должна быть надлежащим образом защищена.
  • Нижний полумесяц:Нижняя секция соединена рядом с зоной кварцевой трубки и вращающимся узлом. Он участвует во введении газа и механической поддержке во время эпитаксиального роста. По сравнению с обычными графитовыми конструкционными деталями к нижнему полумесяцу обычно предъявляются более высокие требования по стойкости к окислению и термостойкости из-за постоянного нагрева и охлаждения во время работы реактора.


Основные характеристики VETEK Halfmoon для реакционной камеры ЖФЭ


1. Графитовая подложка высокой чистоты.

Базовым материалом является графит высокой чистоты, подходящий для производственных процессов полупроводников. Чистота материала важна при эпитаксии SiC, поскольку металлические загрязнения могут повлиять на стабильность роста кристаллов и качество пленки. Для этого применения VETEK использует очищенные графитовые материалы с контролируемым уровнем примесей.


2. Усовершенствованное CVD-покрытие SiC и TaC.

Большинство компонентов Halfmoon покрыты CVD SiC для улучшения защиты поверхности в условиях высокотемпературного процесса. Для более требовательных условий также доступно покрытие TaC. К типичным преимуществам конструкций с покрытием относятся:

  • лучшая стойкость к агрессивным технологическим газам
  • меньшее образование частиц
  • повышенная долговечность поверхности
  • лучшая стабильность во время термоциклирования

 

На практике выбор покрытия обычно зависит от температуры реактора, химического состава процесса и ожидаемого срока службы.


3. Отличная термическая стабильность.

Разработанный для высокотемпературной обработки полупроводников, VETEK Halfmoon сохраняет размерную стабильность и структурную целостность в течение длительных эпитаксиальных циклов, что делает его очень подходящим для оборудования LPE и MOCVD.


4. Прецизионная обработка с ЧПУ.

VETEK обладает передовыми возможностями прецизионной обработки с ЧПУ с контролем размеров на микронном уровне, что обеспечивает отличную совместимость со сложными конструкциями реакторов LPE и индивидуальными требованиями к оборудованию.


5. Длительный срок службы

Благодаря оптимизированной технологии адгезии покрытия и обработке материалов высокой чистоты компоненты VETEK Halfmoon демонстрируют превосходную долговечность в условиях повторяющихся термоциклов и агрессивных технологических газов, что снижает частоту технического обслуживания и общие эксплуатационные расходы.


Технические преимущества

Особенность
ВЕТЕК Полумесяц
Базовый материал
Графит высокой чистоты
Обработка поверхности
CVD-покрытие SiC/опциональное покрытие TaC
Рабочая температура
до 2000°С+
Толщина покрытия
50–200 мкм (регулируемый)
Чистота покрытия
>99,99999%
Приложение
Реактор для эпитаксии SiC / LPE
Температурная устойчивость
Отличная высокотемпературная стабильность
Коррозионная стойкость
Выдающийся
Равномерность покрытия
Высокоточное управление
Контроль частиц
Низкое образование частиц
Кастомизация
Доступный
Совместимость оборудования
LPE / Индивидуальные системы


Приложения


Реакционная камера VETEK Halfmoon для LPE широко используется в:

  • Системы эпитаксии из карбида кремния (SiC)
  • Горизонтальные реакторы ЖНД
  • Оборудование для эпитаксиального выращивания полупроводников
  • Высокотемпературные камеры CVD-процесса
  • Передовые полупроводниковые системы теплового поля
  • Системы выращивания кристаллов SiC
  • Производство полупроводников третьего поколения

Наша продукция совместима со многими платформами основного промышленного оборудования и может быть адаптирована в соответствии с чертежами заказчика или спецификациями реактора.


Почему выбирают VETEK Semiconductor?


VETEK Semiconductor уже много лет специализируется на полупроводниковых графитовых компонентах и ​​технологиях покрытий. С 2016 года компания продолжает развивать свои возможности в области очистки, прецизионной обработки графита и производства покрытий CVD для полупроводников.

Возможности ВЕТЭК:

  • Опыт работы с компонентами эпитаксии SiC и деталями реакторов.
  • Собственное производство покрытий CVD SiC и TaC
  • Контроль очистки материала на уровне полупроводников
  • Изготовление на заказ по чертежам или образцам
  • Стабильная производственная мощность для серийных заказов
  • Поставка графитового войлока и термополевых материалов.
  • Система менеджмента качества ISO9001
  • Техническая поддержка для зарубежных клиентов


Часто задаваемые вопросы


(1) Какова функция полумесяца в реакторе ЖФЭ?

Компонент Halfmoon поддерживает направление потока газа, интеграцию структуры камеры, управление температурой и вращение токоприемника внутри эпитаксиальной реакционной камеры.

(2) Находится ли полумесяц в прямом контакте с пластиной?

Обычно нет. В большинстве конструкций реакторов LPE полумесяц остается вокруг камеры, а не касается непосредственно пластины.

(3) Зачем использовать покрытие SiC или TaC на поверхности?

Покрытие в основном предназначено для защиты. Во время эпитаксии SiC графитовые детали подвергаются воздействию высокой температуры и химически активных газов в течение длительного времени. Покрытие помогает улучшить стойкость к окислению и снижает поверхностный износ и образование частиц.

(4) Можно ли настроить эту деталь?

Да. Большинство деталей Halfmoon фактически изготавливаются в соответствии с конструкцией реактора и чертежами заказчика, поскольку размеры и детали установки часто различаются в зависимости от платформы оборудования.

  

Горячие Теги: Полумесяц для реакционной камеры ЖФЭ
Отправить запрос
Контакты
  • Адрес

    Wangda Road, улица Цзыян, округ Уи, город Цзиньхуа, провинция Чжэцзян, Китай

  • Электронная почта

    anny@veteksemi.com

For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
X
Мы используем файлы cookie, чтобы предложить вам лучший опыт просмотра, анализировать трафик сайта и персонализировать контент. Используя этот сайт, вы соглашаетесь на использование нами файлов cookie. политика конфиденциальности
ОтклонятьПринимать