Продукты
Графитовая насадка для душа с CVD-карбидом кремния (SiC)
  • Графитовая насадка для душа с CVD-карбидом кремния (SiC)Графитовая насадка для душа с CVD-карбидом кремния (SiC)
  • Графитовая насадка для душа с CVD-карбидом кремния (SiC)Графитовая насадка для душа с CVD-карбидом кремния (SiC)
  • Графитовая насадка для душа с CVD-карбидом кремния (SiC)Графитовая насадка для душа с CVD-карбидом кремния (SiC)

Графитовая насадка для душа с CVD-карбидом кремния (SiC)

Если вы когда-либо сталкивались с неравномерным потоком газа или загрязнением частиц в камере осаждения, насадка для душа VETEK с графитовым покрытием CVD SiC создана для решения этой проблемы. Он начинается с изостатического графита высокой чистоты, обеспечивающего термическую стабильность и простоту обработки, затем покрывается плотным CVD-покрытием из карбида кремния (SiC), которое герметизирует поверхность, противостоит агрессивным газам (таким как HCl или NF₃) и предотвращает выделение газов. В результате получается газораспределительная пластина, которая обеспечивает равномерный поток по пластине, выдерживает высокотемпературную эпитаксию и служит намного дольше, чем чистый графит или кварц, что делает ее надежным компонентом для процессов CVD, PECVD, MOCVD, эпитаксии кремния и эпитаксии SiC. Мы также предлагаем нестандартные схемы и размеры отверстий, поскольку не бывает двух одинаковых реакторов.

Ключевые особенности

• Сверхвысокая чистота – покрытие SiC полностью герметизирует графит, исключая выделение газа или загрязнение металлом.

• Превосходное распределение газа – каждая душевая головка обработана таким образом, чтобы обеспечивать постоянную скорость газа по всей пластине.

• Превосходная коррозионная стойкость – CVD SiC не вступает в реакцию с галогенами или технологическими остатками. Он служит гораздо дольше, чем голый графит или кварц.

• Выдающиеся тепловые характеристики. Покрытие точно соответствует тепловому расширению графита, поэтому не трескается при резком изменении температуры.

• Точное производство – мы используем обработку на станках с ЧПУ и собственное CVD-покрытие. Диаметры и расположение отверстий выдерживаются с жесткими допусками.


Технические характеристики



Приложения

Эти душевые насадки используются в:

• Полупроводниковые CVD-системы (как производство, так и исследования и разработки)

• PECVD оборудование – низкотемпературные диэлектрики

• Реакторы MOCVD – соединения III‑V, такие как GaN, InP

• Кремниевая эпитаксия (Si Epi) – для силовых устройств и КМОП.

• Эпитаксия SiC – силовая высоковольтная электроника

• Фабрики по производству сложных полупроводников

• Расширенная упаковка (например, нанесение вкладыша TSV)

• Любой тонкопленочный инструмент, для которого требуется нержавеющий газораспределитель высокой чистоты.



Почему выбирают ВЕТЭК?

• Мы не торговая компания. Все – от обработки графита до окончательного покрытия CVD SiC – делается на месте. Это означает, что мы контролируем качество, сроки выполнения и стоимость.

• Полностью собственное производство – никаких сюрпризов при аутсорсинге

• Передовая технология покрытия – плотный CVD SiC без отверстий.

• Индивидуальная инженерная поддержка — отправьте нам чертеж душевой лейки или просто модель реактора.

• Надежная цепочка поставок полупроводников – мы уже много лет поставляем фабрикам и OEM-производителям.

• Вам не придется каждый раз проходить повторную квалификацию нового проекта. Мы уже покрыли душевые насадки для многих распространенных платформ (AMAT, TEL, LAM, ASM и т. д.).


Горячие Теги:
Отправить запрос
Контакты
  • Адрес

    Wangda Road, улица Цзыян, округ Уи, город Цзиньхуа, провинция Чжэцзян, Китай

  • Электронная почта

    anny@veteksemi.com

For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
X
Мы используем файлы cookie, чтобы предложить вам лучший опыт просмотра, анализировать трафик сайта и персонализировать контент. Используя этот сайт, вы соглашаетесь на использование нами файлов cookie. политика конфиденциальности
ОтклонятьПринимать