Носитель пластин для VEECO MOCVD (светодиодная эпитаксия)

Характеристики продукта:

1. Основа из графита высокой чистоты с плотным слоем CVD SiC.
2. Хорошая термическая однородность для стабильной светодиодной эпитаксии
3. Устойчив к NH₃, HCl и другим агрессивным газам, используемым в процессе.
4. Низкое выделение частиц и длительный срок службы.
5. Конструкции карманов могут быть адаптированы под различные размеры пластин и реакторных платформ.
6. Хорошо работает при длительной высокотемпературной работе MOCVD.

Приложения:
Эти подложки широко используются в эпитаксии светодиодов и сложных полупроводников, в том числе:

• GaN светодиодная эпитаксия
• Сине-зеленая светодиодная эпитаксия
• Глубокий УФ-светодиодный рост
• Эпитаксия GaN на основе Si
• Производство полупроводников общего назначения

Специальные несущие решения подходят для нескольких платформ LED MOCVD, таких как:

• ВЕЕКО К465i
• ВЕЕКО К700
• ВЕЕКО К868
• Экстрон G4/G5
• А7/Унимакс

Технические преимущества:

1. CVD-покрытие SiCтехнология, обеспечивающая хорошую плотность и чистоту
2. Изменение толщины покрытия поддерживается в пределах ±10 мкм – помогает поддерживать стабильные тепловые характеристики
3. Обработка на станке с ЧПУ с точностью до 3 мкм для хорошей посадки пластины и стабильности вращения
4. Покрытие хорошо прилипает и устойчиво к растрескиванию после многократных высокотемпературных циклов MOCVD.
5. Без проблем справляется с NH₃, HCl и другими агрессивными средами эпитаксии.
6. Низкое образование частиц и чистая поверхность обеспечивают высокий выход продукции.светодиодная эпитаксия
7. Может наносить покрытия больших или нестандартных размеров для различных реакторных платформ и схем расположения пластин.
8. Многолетний опыт работы сизготовленные на заказ детали с графитовым и SiC-покрытиемдля эпитаксии светодиодов и сложных полупроводников

ЧАСТО ЗАДАВАЕМЫЕ ВОПРОСЫ:
1. Чем занимается вафельный носительМОКВДСветодиодная эпитаксия?

Ответ: Он удерживает и вращает пластины внутри реактора MOCVD и помогает поддерживать постоянную температуру во время эпитаксиального роста.

2. Зачем использовать графитовые подложки с покрытием SiC для MOCVD?

А:CVD-покрытие SiCобеспечивает лучшую коррозионную стойкость, термическую стабильность и долговечность. Это также помогает снизить загрязнение частицами при высокотемпературной эпитаксии.

3. Производит ли Vetek Semiconductor подложки на заказ?
А: Да. Мы можем разработать индивидуальные носители с учетом вашей реакторной платформы, размера пластины, расположения карманов и других технологических потребностей.