Ресивер с графитовым диском

Графитовый дисковый токоприемник Vetek Semiconductor — высокопроизводительный продукт для передовых процессов производства полупроводников. Наш графитовый дисковый токоприемник разработан с учетом жестких требований отрасли и обеспечивает исключительную производительность и надежность. Этот графитный диск -диск является OEM для планетарной платформы AIX G5 Plantary.

MOCVD GaN-on-Si используется для эпитаксиального производства светодиодов, а реактор Aixtron G5 повышает производительность и однородность платформы MOCVD. Полностью повернутый симметричный однородный рисунок на пяти 200-миллиметровых пластинах с использованием кремниевой подложки стандартной толщины и контролем поведения пластин при изгибе формализовал то, что им было нужно для производства кремния.

Получительский графитный диск Vetek Semiconductor для Gan-On-Si MoCVD, надежное и экономически эффективное решение для передовых процессов производства полупроводников.

Наш дисковый токоприемник из графита высокой чистоты специально разработан для удовлетворения требований процессов MOCVD GaN-on-Si. Благодаря своей исключительной термической стабильности и термостойкости он может выдерживать сложные температурные условия, обычно от 800°C до 1100°C, обеспечивая оптимальную производительность в процессе осаждения.

Графит высокой чистоты, используемый в нашем дисковом токоприемнике, обеспечивает превосходную химическую стойкость, что делает его совместимым с предшественниками аммиака (NH3) и органических металлов, обычно используемыми в MOCVD GaN-on-Si. Это исключает необходимость в дополнительныхSiC-покрытия, сокращение производственных затрат без ущерба для производительности.

Petek Semiconductor Highbint Disc Repemptor предлагает экономически эффективное решение без ущерба для качества. Его надежность, долговечность и совместимость с процессами Gan-On-Si MoCVD делают его предпочтительным выбором для производителей полупроводников. Доверие Vetek Semiconductor для обеспечения высокопроизводительных графитовых дисков для ваших потребностей в производстве Gan-On-Si MOCVD.