Лоток для вафель

Вы можете быть уверены, что купить лоток для перевозчиков пластин на нашей фабрике.

Vetek Semiconductor в основном предоставляет графитовые детали CVD SIC, такие как лоток для носителей пластин для оборудования для полупроводника третьего поколения SIC-CVD, и предназначен для обеспечения передового и конкурентного производственного оборудования для отрасли. Оборудование SIC-CVD используется для роста гомогенного монокристаллического тонкопленочного эпитаксиального слоя на кремниевом карбидном субстрате, SIC Эпитаксиальный лист в основном используется для производственных силовых устройств, таких как диод Schottky, IGBT, MOSFET и другие электронные устройства.

Оборудование тесно сочетает в себе процесс и оборудование. Оборудование SIC-CVD имеет очевидные преимущества в высокой производственной мощности, совместимости 6/8 дюймов, конкурентной стоимости, непрерывного автоматического управления ростом для нескольких печей, низкой скорости дефекта, удобства обслуживания и надежности посредством конструкции управления полем температуры и управления полетом потока. В сочетании с подносом для носителей пластин с покрытием SIC, предоставленным нашим полупроводником Vetek, он может повысить эффективность производства оборудования, продлить срок службы и контролировать стоимость.

Полупроводниковый лоток с полупроводниковым носителем в основном обладает высокой чистотой, хорошей стабильностью графита, высокой точностью обработки, плюс покрытие CVD SIC, высокая температурная стабильность: кремниевые покрытия имеют превосходную высокую стабильность и защищают субстрат от тепла и химической коррозии в чрезвычайно высокой температурной среде Полем

Твердость и устойчивость к износу: кремниевые покрытия обычно имеют высокую твердость, обеспечивая отличную износную стойкость и продлевают срок службы подложки.

Коррозионная стойкость: кремниевое карбидное покрытие является коррозионным устойчивым ко многим химическим веществам и может защитить субстрат от повреждения коррозии.

Сниженный коэффициент трения: кремниевые покрытия обычно имеют низкий коэффициент трения, что может снизить потери трения и повысить эффективность работы компонентов.

Теплопроводность: покрытие из карбида кремния обычно имеет хорошую теплопроводность, что может помочь подложке лучше рассеивать тепло и улучшить эффект рассеивания тепла компонентами.

В целом, покрытие из карбида кремния CVD может обеспечить множественную защиту подложки, продлить срок ее службы и улучшить характеристики.

Основные физические свойства покрытия CVD SiC:

Производственные цеха:

Обзор производственной цепочки эпитаксии полупроводниковых чипов: