SIC Planetary Presceptor

Planetary Planetary Planetary Planetary Carrier, покрытый планетарным носителемкарбид кремния (sic), который в основном используется в процессах осаждения полупроводникового материала, таких как металлическая органическая химическая осаждение паров (MOCVD), эпитаксия молекулярного луча (MBE) и т. Д. Его основная функция-носить и вращать вафли для обеспечения единообразности и согласованности теплового поля во время процесса осаждения. Его основная функция заключается в переносе и вращении пластин, чтобы обеспечить однородность материала и консистенцию теплового поля во время осаждения, а покрытие SIC обеспечивает носитель превосходную высокотемпературную сопротивление, коррозионное сопротивление и теплопроводность для высокопроизводительного полупроводникапластинаобработка.

Основные сценарии применения для Planetary Presector Planetary Planetary

MOCVD Эпитаксиальный процесс роста

В процессе MOCVD планетарный воспетитор с покрытием SIC используется в основном для переноски вафей кремния (SI), кремниевого карбида (SIC), нитрида галлия (GAN), арсенида галлия (GAAS) и других материалов.

● Функциональные требования: Точное позиционирование и синхронизированное вращение пластин для обеспечения равномерного распределения материалов, депозированных парами на поверхности пластины, и усилить однородность толщины и композиции пленки.

● Преимущество: SIC покрытия высоко устойчивы к коррозии и могут противостоять эрозии высокореактивных металлоорганических предшественников, таких как триметилгаллий (TMGA) и триметилиндия (TMIN), продлевая срок службы.

Кремниевое карбид (SIC) Производство силовых устройств

SIC Planetary Pesceptor широко используется в эпитаксиальном росте силовых устройств SIC, таких как MOSFET, IGBT, SBD и другие устройства.

● Функциональные требования: Предоставьте стабильную платформу термического выравнивания в высокотемпературных средах, чтобы обеспечить качество кристаллизации эпитаксиального уровня и контроль дефектов.

● Преимущество: SIC покрытия устойчивы к высокой температуре (> 1600 ° C) и имеют коэффициент теплового расширения (4,0 × 10^-6 K^-1), близкий к качеству карбида кремния, которые эффективно уменьшают тепловые напряжения и улучшают качество и стабильность эпитаксиального слоя.

Глубокое ультрафиолетовое (DUV) и ультрафиолетовое светодиодное эпитаксиальное производство

Планетарный ущерб с покрытием SIC подходит для эпитаксиального роста таких материалов, как нитрид галлия (GAN) и алюминиевый нитрид галлия (Algan), и широко используется при изготовлении ультрафиолетовых и микро-светодиодов.

● Функциональные требования: Поддерживайте точное управление температурой и равномерное распределение воздушного потока, чтобы обеспечить точность длины волны и производительность устройства.

● Преимущество: Высокая теплопроводность и устойчивость к окислению обеспечивают превосходную стабильность при высоких температурах в течение длительных периодов работы, помогая повысить яркую эффективность и согласованность светодиодных чипов.

Выберите Vekemicon

Планетарный ущерб с покрытием SIC Veteksemicon продемонстрировал незаменимые преимущества в высокотемпературных средах для производства полупроводников благодаря своим уникальным свойствам материала и механической конструкции. И наши основные продукты Planetary Premeptor - SIC Planetary Pesceptor,ALD Planetary Pempector, Planetary Parterator Planetaryи так далее. В то же время Veteksemicon стремится предоставлять индивидуальные продукты и технические услуги для полупроводниковой промышленности. Мы искренне с нетерпением ждем возможности стать вашим долгосрочным партнером в Китае.