Planetary Parterator Planetary

В сфере производства полупроводников, Plantary Planetary Planetary Planetary Planetary Plantary играет важную роль. Он широко используется в росте эпитаксиальных слоев карбида (sic) кремния (sic) в оборудовании, таком как система Aixtron G5. Кроме того, при использовании в качестве наружного диска в карбиде тантала (TAC) осаждение покрытия для эпитаксии SIC, планетарный патрон TAC обеспечивает важную поддержку и стабильность. Он обеспечивает равномерное осаждение карбида тантала, способствуя образованию высококачественных эпитаксиальных слоев с превосходной морфологией поверхности и желаемой толщиной пленки. Химическая инертность покрытия TAC предотвращает нежелательные реакции и загрязнение, сохраняя целостность эпитаксиальных слоев и обеспечивая их превосходное качество.

Исключительная теплопроводности TAC Covert обеспечивает эффективную теплопередачу, способствуя равномерному распределению температуры и сводя к минимуму тепловое напряжение в процессе эпитаксиального роста. Это приводит к производству высококачественных эпитаксиальных слоев SIC с улучшенными кристаллографическими свойствами и повышенной электрической проводимости.

Точные размеры и надежная конструкция планетарного диска TAC позволяет легко интегрироваться в существующие системы, обеспечивая бесшовную совместимость и эффективную работу. Его надежная производительность и высококачественное покрытие TAC способствуют согласованному и равномерному результатам в процессах эпитаксии SIC.

Доверие Vetek Semiconductor и наш планетный диск TAC для исключительной производительности и надежности в эпитаксии SIC. Испытайте преимущества наших инновационных решений, позиционируя вас на переднем крае технологических достижений в полупроводниковой промышленности.