SIC покрыт E-Chuck

Поскольку нитрид галлия (GAN) становится основным материалом полупроводника третьего поколения, его применение в высокочастотных, мощных и оптоэлектронных полях продолжают расширяться, такие как базовые станции связи 5G, модули мощности и светодиодные устройства. Однако при производстве полупроводников, особенно в процессе травления, пластины должны подвергаться высокой температуре, среде с высокой химической коррозией и чрезвычайно высокими требованиями к процессу точности, которые выдвигают чрезвычайно высокие технические стандарты для инструментов подшипника пластин.

Керамические поддоны SIC SIC Vetek Semiconductor предназначены для травления Gan Pafer и обеспечивают высокую чистоту, превосходную тепло и химическую стойкость для поддержки вашего производственного процесса. Он подходит для процесса плазменного травления (ICP/RIE) и является идеальным выбором в современном оборудовании для производства полупроводников.

Основные сильные стороны

1. Керамический материал высокой чистоты SIC

Химическая стабильность: чистота материала составляет более 99,5%, и в пластине Ган нет.

Высокая твердость и стойкость к износу: твердость рядом с бриллиантом, способная выдерживать высокочастотное использование, невидимые изменения и царапины.

2. Отличная тепловая производительность

Высокая теплопроводность, сопоставленный GAN коэффициент термического расширения (CTE): снизить риск растрескивания пластин в процессе травления.

3. Супер химическая коррозионная устойчивость

Он может долго работать в высокой концентрации фторида, хлорида и другой коррозийной газовой среды в течение длительного времени.

4. Точный дизайн и обработка

Шероховатость поверхности и плоскостность обеспечивают плавное размещение пластин и однородность травления для удовлетворения высоких требований к процессу точности.

Размеры, канавки, фиксированные отверстия и другие структуры могут быть настроены в соответствии с требованиями клиента.

Поле SIC, покрытое электронным корком,

● Плазменное травление (ICP/RIE)

Он обеспечивает фиксацию и поддержку пластины в высокой температуре и среде высокой химической коррозии, подходящую для процесса травления GAN, SIC и других материалов.

● Перевод и хранение пластины

Обеспечить очень плоскую и без загрязнения платформу для защиты безопасности пластины в производственном процессе.

Индивидуальные услуги

Это полупроводникпредлагает индивидуальные услуги для удовлетворения ваших конкретных потребностей в процессе:

● Настройка размера: Размер поддона может быть настроен в соответствии с размером пластины (Ø4 ~ 12 дюймов).

● Оптимизация структуры: Поддержка канавки, отверстие для позиционирования, фиксированная точка и другая настройка структуры.

Это полупроводникSIC Coted E-Chuck Shops: