Рецепт осаждения ALD -атомного слоя

Пространственный Ald, пространственно изолированное атомно-слоевое осаждениеПолем Пластин перемещается между разными позициями и подвергается воздействию разных предшественников в каждом положении. Рисунок ниже представляет собой сравнение между традиционным ALD и пространственно изолированным ALD.

Временный Ald,временно изолированное осаждение атомного слоя. Пластина фиксируется, а предшественники попеременно вводятся и удаляются в камеру. Этот метод позволяет обрабатывать пластину в более сбалансированной среде, тем самым улучшая результаты, например, улучшая контроль диапазона критических размеров. На рисунке ниже представлена ​​принципиальная схема Temporal ALD.

Остановите клапан, закрытый клапан. Обычно используется в，рецепты, используемые для закрытия клапана вакуумного насоса или открытия запорного клапана вакуумного насоса.

Предвестник, предвестник. Два или более, каждый из которых содержит элементы желаемой осажденной пленки, попеременно адсорбируются на поверхности подложки, причем только по одному предшественнику за раз, независимо друг от друга. Каждый предшественник насыщает поверхность подложки, образуя монослой. Предшественник можно увидеть на рисунке ниже.

Чистка, также известная как очищение. Обычный продувочный газ, продувочный газ.Нанесение атомного слояявляется методом осаждения тонких пленок в атомных слоях путем последовательного размещения двух или более реагентов в реакционную камеру для образования тонкой пленки посредством разложения и адсорбции каждого реагента. То есть первый реакционный газ поставляется импульсным образом для химического нанесения внутри камеры, а физически связанный остаточный газ первой реакции удаляется путем очистки. Затем второй реакционный газ также образует химическую связь с первым реакционным газом частично через процесс импульса и чистки, тем самым осаждая желаемую пленку на подложке. Чистка можно увидеть на рисунке ниже.

Цикл. В процессе осаждения атомного слоя время для каждого реакционного газа пульсируется и очищен один раз, называется циклом.

Эпитаксия атомного слоя.Другой термин для обозначения атомно-слоевого осаждения.

Триметилалиминий, сокращенно, как TMA, триметилалуминий. При осаждении атомного слоя TMA часто используется в качестве предшественника для формирования Al2O3. Обычно TMA и H2O образуют Al2O3. Кроме того, TMA и O3 образуют Al2O3. На рисунке ниже представлена ​​схематическая диаграмма осаждения атомного слоя Al2O3 с использованием TMA и H2O в качестве предшественников.

3-аминопропилтриэтоксисилан, называемый APTES, 3-аминопропилтриметоксисилан. Ватомно-слоевое осаждение, APTES часто используется в качестве предшественника для образования SiO2. Обычно APTES, O3 и H2O образуют SiO2. На рисунке ниже представлена ​​принципиальная схема APTES.