Продукты
Продукты
Графитовый токоприемник с покрытием CVD SiC для носителя пластины
  • Графитовый токоприемник с покрытием CVD SiC для носителя пластиныГрафитовый токоприемник с покрытием CVD SiC для носителя пластины

Графитовый токоприемник с покрытием CVD SiC для носителя пластины

Графитовый токоприемник VETEK с CVD-SiC-покрытием для держателя пластины — это высокопроизводительный компонент поддержки пластин, разработанный для процессов эпитаксии полупроводников. В качестве подложки в продукте используется графит высокой чистоты, который покрыт однородным слоем карбида кремния (SiC), полученным методом CVD, что обеспечивает превосходную термическую стабильность, химическую стойкость и контроль частиц. Являясь важнейшим компонентом графитового токоприемника, он непосредственно поддерживает пластины внутри реакционной камеры и помогает поддерживать равномерное распределение температуры и стабильные условия эпитаксиального роста.
Рейтинг: 5.0
(Рейтинг: 1)

1. Преимущества продукта


  • Материал высокой чистоты:Графитовый материал полупроводникового класса и плотная структура покрытия SiC минимизируют риски загрязнения и повышают надежность графитового токоприемника с CVD-покрытием SiC.
  • Превосходная термическая однородность:Оптимизированная структура графита и покрытие SiC обеспечивают стабильную теплопередачу и равномерный контроль температуры пластины.
  • Превосходная химическая стойкость:Плотное покрытие SiC обеспечивает высокую устойчивость к технологическим газам и агрессивным средам.
  • Длительный срок службы:Высокая твердость и износостойкость повышают долговечность в условиях высокотемпературной эпитаксии.
  • Низкое образование частиц:Плотная поверхность CVD SiC уменьшает выброс частиц и повышает надежность процесса производства пластин.
  • Возможности индивидуального дизайна:Доступны в различных размерах, конструкциях и конфигурациях в зависимости от требований к оборудованию.



2. Технические характеристики

Элемент
Типичное значение
Материал подложки
Графит высокой чистоты
Материал покрытия
Карбид кремния CVD (SiC)
Карбид кремния Чистота
≥99,999%
Толщина покрытия
100 ± 20 мкм (настраиваемый)
Равномерность толщины покрытия
Контролируется в пределах 10 мкм между партиями
Плотность CVD-покрытия SiC
3,21 г/см³
Теплопроводность
300 Вт/м·К
Коэффициент теплового расширения
4,5 × 10⁻⁶/К

3. Приложения


  • Процесс эпитаксии SiC:Графитовый токоприемник используется в качестве носителя пластины в оборудовании для эпитаксии SiC, поддерживая подложки SiC во время высокотемпературного эпитаксиального выращивания.
  • Процесс кремниевой эпитаксии:Применяется в кремниевых эпитаксиальных реакторах для поддержки пластин и поддержания стабильного теплового режима.
  • MOCVD-эпитаксии:Графитовые токоприемники VETEK подходят для MOCVD, светодиодной эпитаксии, эпитаксии GaN, эпитаксии кремния и других процессов производства полупроводников, требующих превосходной термической однородности и химической стабильности.
  • Оборудование для производства полупроводников:Совместим с различными платформами эпитаксии, включая горизонтальные печи LPE, Aixtron, NuFlare и соответствующее полупроводниковое оборудование.



4. Почему выбирают ВЕТЕК?

VETEK предлагает индивидуальные решения для графитовых токоприемников с покрытием CVD SiC, объединяющие очистку графита, прецизионную обработку, покрытие CVD и возможности контроля. Наши графитовые токоприемники полупроводникового класса отличаются высокой чистотой, равномерной толщиной покрытия, отличными тепловыми характеристиками и длительным сроком службы для требовательных применений в области подложек.

Отправить запрос
Контакты
  • Адрес

    Wangda Road, улица Цзыян, округ Уи, город Цзиньхуа, провинция Чжэцзян, Китай

  • Электронная почта

    anny@veteksemi.com

For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
Рейтинг:
5.0
X
Мы используем файлы cookie, чтобы предложить вам лучший опыт просмотра, анализировать трафик сайта и персонализировать контент. Используя этот сайт, вы соглашаетесь на использование нами файлов cookie. политика конфиденциальности
ОтклонятьПринимать