TAC Ride Guide Guide Rings

Функция кольца TAC PuTP:

Точный контроль потока газа:Кольцо с гидом по покрытию TACстратегически расположен в системе впрыска газаMOCVD реакторПолем Его основная функция - направлять поток газов -предшественников и обеспечить их равномерное распределение по поверхности субстратной пластины. Этот точный контроль над динамикой потока газа имеет важное значение для достижения равномерного роста эпитаксиального слоя и желаемых свойств материала.

Тепловое управление: Руководство по покрытию TAC часто работает при повышенных температурах из -за их близости к нагреваемому восприимчику и субстрату. Превосходная теплопроводность TAC помогает эффективно рассеять тепло, предотвращая локализованное перегрев и поддержание стабильного температурного профиля в зоне реакции.

Преимущества TAC в MOCVD:

Экстремальная температурная стойкость: TAC может похвастаться одной из самых высоких точек плавления среди всех материалов, превышающих 3800 ° C.

Выдающаяся химическая инертность: TAC демонстрирует исключительную устойчивость к коррозии и химической атаке от газов-реактивных предшественников, используемых в MOCVD, таких как аммиак, силан, и различные металлоорганические соединения.

Физические свойстваПокрытие TAC:

Преимущества для производительности MoCVD:

Использование кольца по полупроводниковому нанесению полупроводникового TAC в оборудовании MOCVD значительно способствует:

Увеличение времени выполнения оборудования: Долговечность и продолжительность срока службы кольца руководства по покрытию TAC уменьшают необходимость частых замены, минимизацию простоя технического обслуживания и максимизацию эффективности работы системы MOCVD.

Улучшенная стабильность процесса: Тепловая стабильность и химическая инертность TAC способствуют более стабильной и контролируемой реакционной среде в камере MOCVD, минимизируют изменения процесса и улучшая воспроизводимость.

Улучшенная однородность эпитаксиального слоя: Точный контроль потока газа, облегченный с помощью кольца с покрытием TAC, обеспечивает равномерное распределение предшественников, что приводит к сильно однородномуЭпитаксиальный рост слояс последовательной толщиной и композицией.

Покрытие карбидом тантала (TAC)на микроскопическом поперечном сечении: