Высокая чистота жесткое войло

Эпитаксиальный рост SiC — это технология выращивания тонких пленок карбида кремния высокого качества на поверхности подложки. Этот процесс важен для производства высокопроизводительных полупроводниковых устройств из карбида кремния, таких как силовые устройства из карбида кремния и радиочастотные устройства из карбида кремния. В этом процессе необходимо строго контролировать среду роста, включая температуру, поток газа, давление и другие параметры, чтобы обеспечить рост высококачественных эпитаксиальных слоев карбида кремния высокой чистоты с хорошими электрическими свойствами. Детали из графита Halfmoon с покрытием SiC являются основным компонентом эпитаксиального роста SIC, а жесткий войлок высокой чистоты в основном играет роль сохранения тепла деталей из графита Halfmoon с покрытием SiC.

Жесткий войлок высокой чистоты обладает хорошей теплопроводностью, что позволяет равномерно распределять тепло источника тепла вокруг графитовых деталей с покрытием SiC и обеспечивает хороший эффект сохранения тепла. Во время эпитаксиального роста SiC он может поглощать тепло и медленно выделять его, чтобы избежать локального перегрева или переохлаждения, так что разница температур на поверхности подложки из карбида кремния контролируется в очень небольшом диапазоне, а однородность температуры обычно может достигать ± 1. - 2 ℃, что очень важно для выращивания эпитаксиального слоя карбида кремния с одинаковой толщиной и постоянными электрическими свойствами.

Некоторые коррозионные газы, такие как силан (SiH4) и пропан (C3H8), используются в качестве газов-источников реакции при эпитаксиальном выращивании SiC. Жесткий войлок высокой чистоты хорошо переносит эти химические газы и может сохранять свою структурную целостность на протяжении всего цикла эпитаксиального роста (который может длиться часами или даже десятками часов). А чистота жесткого войлока высокой чистоты превышает 99,99%, и он не выделяет в реакционную среду вещества, которые могут загрязнять эпитаксиальный слой, тем самым обеспечивая высокую чистоту эпитаксиального слоя карбида кремния.

Соответствующая плотность может обеспечить механическую прочность и теплопроводность жесткого войлока высокой чистоты. Обеспечивая теплопроводность, он может минимизировать влияние внешних факторов на эпитаксиальный рост SiC.

По сравнению с традиционными керамическими материалами и металлическими материалами, высокая чистота графитовая жесткая война имеет лучшую теплопроводность и химическую стабильность и является отличным материалом вспомогательного компонента для эпитаксиального роста SIC.

Являясь ведущим китайским поставщиком и заводом по производству жесткого войлока высокой чистоты, VeTek Semiconductor предлагает продукцию, изготовленную по индивидуальному заказу, будь то материалы или размер продукта, которые могут быть адаптированы для вас. Более того, VeTek Semiconductor уже давно стремится предоставлять передовые технологии жесткого войлока высокой чистоты. и продуктовые решения для полупроводниковой промышленности. Мы искренне надеемся стать вашим долгосрочным партнером в Китае.

Цеха по производству жесткого войлока высокой чистоты VeTek Semiconductor: