Веб-меню

Поиск продукта

Язык

Продукты
Углеродный композитный поддон PECVD
  • Углеродный композитный поддон PECVDУглеродный композитный поддон PECVD
  • Углеродный композитный поддон PECVDУглеродный композитный поддон PECVD

Углеродный композитный поддон PECVD

Vetek Semiconductor в течение многих лет сосредоточился на исследованиях и разработке и производстве материалов на основе углерода. Наш поддон Carbon Carbon Composite PECVD изготовлен из углеродного волокна высокой плотности, который имеет превосходную высокотемпературную устойчивость, хорошие механические свойства и превосходную химическую стабильность и играет незаменимую роль в процессе фотоэлектрического PECVD. Мы с нетерпением ждем вашего исследования и создания долгосрочного стратегического партнерства с вами для совместного продвижения технологического прогресса и промышленного развития.
Отправить запрос 
Описание продукта

Углеродный композитный поддон PECVD

Поддон из углеродно-углеродного композита PECVD, изготовленный в Китае компанией VeTek Semiconductor, которая является одним из производителей и поставщиков в Китае. Купить углеродно-углеродный композитный поддон PECVD

с низкой ценой с нашей фабрики. У нас есть свои собственные бренды, и мы также поддерживаем объем. Добро пожаловать, чтобы купить скидку, который является новым и качественным от нас.

Полупроводник углеродного углеродного углеродного составного состава имеет характеристики легкого веса, высокой прочности и эластичности, продукт может противостоять высокой температуре 2000 ℃ и обладает превосходной производительностью. Для PECVD плазменного вакуумного покрытия. Vetek Semiconductor специализируется на предоставлении графитовых материалов и связанных с ними продуктов с точностью графита для электронных полупроводниковых и солнечных фотоэлектрических промышленности, графитовой кадры и рамы для солнечного элемента (PECVD), поликристаллического кремния на слитка теплоизоляция и другие продукты


Технические данные углерода/углеродного композита

Технические данные углерода/углеродного композита
Индекс Единица Ценить
Объемная плотность г/см3 1,40 ~ 1,50
Содержание углерода % ≥98,5 ~ 99,9
Пепел Ppm ≤65
Теплопроводность (1150 ℃) W/m.k 10~30
Предел прочности МПа 90 ~ 130
Прочность на гибкость МПа 100 ~ 150
Прочность на сжатие МПа 130 ~ 170
Прочность на сдвиг МПа 50 ~ 60
Межламинарная прочность на сдвиг МПа ≥13
Электрическое сопротивление Ох. ​​Мм2/м 30 ~ 43
Коэффициент термического расширения 106/k 0,3 ~ 1,2
Температура обработки ℃ ≥2400 ℃
Военное качество, полное осаждение в печи химического осаждения из паровой фазы, импортное углеродное волокно Toray T700, предварительно сплетенное 3D-игольное вязание,
Характеристики материала: максимальный внешний диаметр 2000 мм, толщина стенки 8-25 мм, высота 1600 мм.


Цех по производству полупроводников ВеТек:

VeTek Semiconductor Production Shop


Горячие Теги: Углеродный композитный поддон PECVD
Связанная категория
Отправить запрос
Контакты

  • Адрес

    Wangda Road, Ziyang Street, округ Вуйи, город Цзиньхуа, провинция Чжэцзян, Китай

  • Тел.

    +86-18069220752

  • Электронная почта

    anny@veteksemi.com

По вопросам о покрытии из карбида кремния, покрытии из карбида тантала, специальном графите или прайс-листе оставьте нам свой адрес электронной почты, и мы свяжемся с вами в течение 24 часов.
сопутствующие товары
Твердое составное углеродное волокно
Твердое составное углеродное волокно Посмотреть больше >>
C/C Композитный тигб
C/C Композитный тигб Посмотреть больше >>
Новости Рекомендации
Технология подготовки к силиколу (SI)
Технология подготовки к силиколу (SI)Посмотреть больше >>
Как пористый графит усиливает рост кристаллов карбида кремния?
Как пористый графит усиливает рост кристаллов карбида кремния?Посмотреть больше >>
Почему покрытию SiC уделяется так много внимания? - ВеТек Полупроводник
Почему покрытию SiC уделяется так много внимания? - ВеТек ПолупроводникПосмотреть больше >>
Различные технические маршруты эпитаксиальной растущей печи SIC
Различные технические маршруты эпитаксиальной растущей печи SICПосмотреть больше >>
Как решить проблему спекания трещин в карбидокремниевой керамике? - Полупроводник ВеТек
Как решить проблему спекания трещин в карбидокремниевой керамике? - Полупроводник ВеТекПосмотреть больше >>
Каков градиент температуры теплового поля монокристаллической печи?
Каков градиент температуры теплового поля монокристаллической печи?Посмотреть больше >>
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept