Технологии и решения

Выбор правильного покрытия CVD SiC, TaC или Solid SiC напрямую определяет уровень частиц и срок службы компонентов на линиях эпитаксии/травления. В этой статье представлены четкие границы выбора по температуре, атмосфере и процессу, а также основные решения по замене оборудования и ключевые показатели, которые помогут вам быстро принимать решения и снижать риски.

Узнайте, как лазерная технология VeTek с водным направлением обеспечивает равномерные сквозные отверстия диаметром 0,15 мм в подложках SiC толщиной 2 мм без конусности, минимальную зону термической опасности и высокий выход продукции для полупроводниковых применений.

Наиболее сложной технической проблемой для полых подъемных штифтов полупроводникового оборудования является не покрытие внешней поверхности, а достижение стабильного и однородного покрытия CVD на внутренней стенке полой конструкции. От контроля однородности покрытия внутренней стенки до обеспечения чистоты внутреннего отверстия — каждый этап процесса напрямую влияет на выход пластины. В этой статье анализируются основные проблемы покрытия внутренней стенки полого подъемного штифта и ключевые технические решения.