Продукты
Графитовое кольцо с пористым карбидом тантала (TaC)
  • Графитовое кольцо с пористым карбидом тантала (TaC)Графитовое кольцо с пористым карбидом тантала (TaC)

Графитовое кольцо с пористым карбидом тантала (TaC)

Кольцо VETEK из пористого графита с покрытием TaC представляет собой компонент термического поля, разработанный для выращивания монокристаллов SiC с помощью процесса PVT (физического переноса пара). Он изготовлен из пористого графита высокой чистоты и покрыт карбидом тантала (TaC) по технологии CVD. Целью конструкции является высокотемпературная стабильность, химическая устойчивость и контролируемые характеристики теплового поля. Минимизируя загрязнение и поддерживая согласованность процесса, этот компонент способствует воспроизводимым результатам выращивания кристаллов SiC.

Особенности продукта

  • Основное оборудование:Предназначен для печей для выращивания монокристаллов SiC, работающих по технологии PVT.
  • Основное применение:Подходит для систем термического поля при выращивании кристаллов полупроводника SiC третьего поколения.
  • Высокотемпературная стабильность:Покрытие TaC сохраняет структурную целостность при сверхвысоких температурах, обеспечивая длительную эксплуатацию в сложных температурных условиях.
  • Защита от коррозии:Плотный слой CVD TaC защищает графитовую подложку от паров кремния, углеродосодержащих газов и других агрессивных веществ, встречающихся во время роста SiC.
  • Характеристики теплового поля:Пористая графитовая основа способствует распределению тепла и транспортировке пара, что помогает поддерживать стабильные условия роста.
  • Низкое загрязнение:Исходные материалы высокой чистоты и плотное покрытие ограничивают выброс примесей и осыпание частиц, улучшая качество кристаллов.
  • Увеличенный срок службы:Слой TaC повышает стойкость к окислению, твердость поверхности и общую долговечность при повышенных температурах.
  • Адгезия покрытия:Процесс CVD обеспечивает прочную связь между пленкой TaC и графитовой подложкой.
  • Пользовательские параметры:Размеры, детали конструкции и характеристики покрытия могут быть скорректированы в соответствии с различными требованиями печи для выращивания карбида кремния.


Технические характеристики

Параметр
Ценить
Базовый материал
Пористый графит высокой чистоты
Материал покрытия
Карбид тантала (TaC)
Диапазон температурного сопротивления
До 2200°С
Толщина покрытия
20–100 мкм (настраиваемый)
Плотность
2,6–2,8 г/см³
Теплопроводность
110 Вт/м·К
Основные приложения
Рост кристаллов SiC, компоненты теплового поля полупроводников, высокотемпературное оборудование


Приложения

Кольцо VETEK из пористого графита с покрытием TaC в основном используется в:

  • Выращивание монокристаллов SiC методом PVT
  • Производство полупроводников третьего поколения
  • Производство подложек SiC
  • Системы теплового поля в печах для выращивания кристаллов
  • Высокотемпературная обработка полупроводников
  • Усовершенствованные графитовые компоненты горячей зоны


Часто задаваемые вопросы

1. Что такое пористое графитовое кольцо с покрытием TaC?

Это компонент теплового поля для печей для выращивания кристаллов SiC. Он сочетает в себе пористую графитовую структуру с покрытием CVD TaC, обеспечивающим терморегулирование и защиту от высокотемпературной коррозии.

2. Зачем использовать покрытие TaC для выращивания кристаллов SiC?

TaC обеспечивает высокотемпературную стабильность и химическую стойкость. Он защищает графит от воздействия паров кремния и помогает поддерживать чистую и стабильную среду для роста.

3. Что дает структура пористого графита?

Пористая конструкция способствует распределению тепла и транспорту газа внутри печи, что способствует стабильным условиям роста кристаллов SiC.

4. Может ли VETEK производить графитовые кольца с покрытием TaC по индивидуальному заказу?

Да. VETEK предлагает настройку на основе чертежей заказчика, конструкции печи и технологических потребностей, включая размеры, конфигурацию подложки и параметры покрытия.


Горячие Теги: Пористое графитовое кольцо с покрытием TaC Графитовое кольцо с CVD-покрытием TaC Покрытие из карбида тантала Графитовый компонент с покрытием TaC Компонент роста кристаллов SiC Детали роста PVT SiC Компонент теплового поля полупроводника Высокотемпературное покрытие TaC Оборудование для выращивания субстратов SiC ВЕТЭК Полупроводник
Отправить запрос
Контакты
  • Адрес

    Wangda Road, улица Цзыян, округ Уи, город Цзиньхуа, провинция Чжэцзян, Китай

  • Электронная почта

    anny@veteksemi.com

For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
X
Мы используем файлы cookie, чтобы предложить вам лучший опыт просмотра, анализировать трафик сайта и персонализировать контент. Используя этот сайт, вы соглашаетесь на использование нами файлов cookie.политика конфиденциальности