Токоприемник с CVD-покрытием TaC

Определение и состав продукта

VETEK CVD TaC Coated Susceptor — это высококачественный компонент-носитель пластин, специально используемый для эпитаксиальной обработки полупроводников третьего поколения (SiC, GaN, AlN). Этот продукт сочетает в себе физические преимущества двух высокоэффективных материалов:

Графитовая подложка высокой чистоты: Использует процесс формования изостатическим прессованием, чтобы обеспечить превосходную структурную прочность, высокую плотность и стабильность подложки при термической обработке.

CVD-покрытие TaC: Плотный, не подверженный напряжениям защитный слой из карбида тантала (TaC) выращивается на поверхности графита с помощью передовой технологии химического осаждения из паровой фазы (CVD).

Основные технические преимущества: исключительная адаптируемость к экстремальным условиям.

В процессе MOCVD покрытие TaC является не только физическим защитным слоем, но и основой обеспечения повторяемости процесса:

Толерантность к экстремально высоким температурам: TaC имеет температуру плавления до 3880°C, сохраняя превосходную стабильность формы даже в сверхвысоких температурах эпитаксиальных процессов выше 1600°C.

Отличная коррозионная стойкость: В сильно восстановительных средах, содержащих NH₃(аммиак) или H₂(водород), скорость коррозии TaC чрезвычайно низка, что эффективно предотвращает потерю подложки и осаждение примесей.

Гарантия сверхвысокой чистоты: Чистота покрытия достигает 99,9995%. Его плотная структура полностью запечатывает микропоры графита, обеспечивая чрезвычайно низкий уровень примесей в эпитаксиальной пленке.

Точное распределение теплового поля: Оптимизированная технология управления покрытием VETEK обеспечивает контроль разницы температур поверхности токоприемника в пределах ±2°C, что значительно улучшает толщину и постоянство длины волны эпитаксиального слоя пластины.

Технические параметры

Покрытие из карбида тантала (TaC) на микроскопическом сечении:

Основные области применения

Эпитаксиальный рост SiC (карбида кремния): поддерживает производство силовых устройств SiC размером 6, 8 дюймов и более.

Устройства на основе GaN (нитрида галлия): используется в процессах MOCVD для светодиодов высокой яркости, силовых устройств HEMT и радиочастотных чипов.

AlN (нитрид алюминия) и рост УФ-излучением: Обеспечивает решения для экстремально высоких температур (1400°C+) для материалов со сверхширокой запрещенной зоной, таких как светодиоды Deep UV.

Индивидуальная поддержка исследований: Адаптируется к требованиям исследовательских институтов по точной настройке различных деталей неправильной формы и дисков с несколькими отверстиями.

Совместимые модели и услуги по настройке

VETEK обладает возможностями точной механической обработки и нанесения покрытий, идеально адаптируясь к основному мировому оборудованию MOCVD:

АИКСТРОН: Поддерживает различные планетарные вращающиеся диски и основания.

Вико: поддерживает K465i, Propel и другие серии вертикальных токоприемников.

АМЕК и другие: Предоставляет полностью совместимые запасные части или решения для модернизации.