Продукты

Покрытие из карбида кремния

VeTek Semiconductor специализируется на производстве продуктов с покрытиями из сверхчистого карбида кремния. Эти покрытия предназначены для нанесения на очищенный графит, керамику и компоненты из тугоплавких металлов.


Наши покрытия высокой чистоты в первую очередь предназначены для использования в полупроводниковой и электронной промышленности. Они служат защитным слоем для носителей пластин, токоприемников и нагревательных элементов, защищая их от агрессивных и реактивных сред, возникающих в таких процессах, как MOCVD и EPI. Эти процессы являются неотъемлемой частью обработки пластин и производства устройств. Кроме того, наши покрытия хорошо подходят для применения в вакуумных печах и нагревании образцов, где встречаются условия высокого вакуума, реактивные и кислородные среды.


В VeTek Semiconductor мы предлагаем комплексное решение с использованием наших передовых возможностей механического цеха. Это позволяет нам производить базовые компоненты с использованием графита, керамики или тугоплавких металлов и наносить керамические покрытия SiC или TaC собственными силами. Мы также предоставляем услуги по нанесению покрытий на детали, поставляемые заказчиком, обеспечивая гибкость для удовлетворения разнообразных потребностей.


Наши продукты с покрытием из карбида кремния широко используются в эпитаксии Si, эпитаксии SiC, системе MOCVD, процессе RTP/RTA, процессе травления, процессе травления ICP/PSS, процессах различных типов светодиодов, включая синие и зеленые светодиоды, УФ-светодиоды и глубокие УФ-светодиоды. Светодиод и т. д., адаптированный к оборудованию LPE, Aixtron, Veeco, Nuflare, TEL, ASM, Annealsys, TSI и так далее.


Детали реактора, которые мы можем сделать:


Aixtron G5 MOCVD Susceptors


Покрытие из карбида кремния имеет ряд уникальных преимуществ:

Silicon Carbide Coating several unique advantages



Параметры покрытия из карбида кремния VeTek Semiconductor

Основные физические свойства покрытия CVD SiC
Свойство Типичное значение
Кристаллическая структура FCC β-фаза поликристаллическая, преимущественно (111) ориентированная
Карбид кремния Плотность покрытия 3,21 г/см³
Покрытие SiCТвердость Твердость 2500 по Виккерсу (нагрузка 500 г)
Размер зерна 2~10 мкм
Химическая чистота 99,99995%
Теплоемкость 640 Дж·кг-1·К-1
Температура сублимации 2700℃
изгибная прочность 415 МПа РТ 4-точечный
Модуль Юнга Изгиб 430 ГПа, 4 точки, 1300 ℃
Теплопроводность 300 Вт·м-1·К-1
Тепловое расширение (КТР) 4,5×10-6К-1

КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА ПЛЕНКИ CVD SIC

CVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE



View as  
 
Как профессиональный производитель и поставщик Покрытие из карбида кремния в Китае, у нас есть собственная фабрика. Если вам нужны индивидуальные услуги для удовлетворения конкретных потребностей вашего региона или вы хотите купить расширенные и долговечные Покрытие из карбида кремния, сделанные в Китае, вы можете оставить нам сообщение.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept