Cvd TAC покрыт трехлетние направляющее кольцо

Силиконовый карбид монокристаллический субстратный материал представляет собой своего рода кристаллический материал, который принадлежит к широкополосной полупроводниковой материале. Он имеет преимущества высокого сопротивления напряжения, высокой температурной сопротивления, высокой частоты, низких потерь и т. Д. Это основной материал для приготовления мощных электронных устройств мощности и микроволновых радиочастотных устройств. В настоящее время основными методами выращивания кристаллов SIC являются физический транспорт паров (метод PVT), высокотемпературное химическое осаждение паров (метод HTCVD), метод жидкой фазы и т. Д.

Метод физического транспорта пара (PVT) представляет собой хорошо установленную методику, очень подходящую для крупномасштабного промышленного производства. В этом процессе в верхней части тигеля расположен кристалл семян SIC, в то время как порошок SIC, служащий сырью, расположен на тиглевом дне. В условиях высокой температуры и низкого давления в закрытой среде порошок SIC подчиняется. Приводясь в основе градиента температуры и разницы в концентрации, сублимированные виды движутся вверх к области вблизи кристалла семян. После достижения перенасыщенного состояния происходит перекристаллизация, что позволяет точно контролировать размер и специфический кристаллический тип выращенных кристаллов SIC.

CVD TAC, покрытое тремя - лепестками, выполняет несколько важных функций. В первую очередь он усиливает механику жидкости, направляя поток газа, гарантируя, что область роста кристаллов подвергается воздействию равномерной атмосферы. Кроме того, он эффективно рассеивает тепло во время процесса роста кристаллов SIC. Поддерживая соответствующий градиент температуры, он оптимизирует условия роста для кристаллов SIC и снижает риск риска кристаллических дефектов, вызванных неравномерным распределением температуры.