Новости

8-дюймовая эпитаксиальная печь SIC и исследование гомоэпитаксиального процесса

В статье анализируются свойства материалов полупроводниковых подложек, таких как кремний, GaAs, SiC и GaN.

В этой статье в основном описывается низкотемпературная технология на основе GAN, включая кристаллическую структуру материалов на основе GAN, 3. Требования к эпитаксиальной технологии и решения внедрения, преимущества низкотемпературной эпитаксиальной технологии, основанной на принципах PVD и перспективах развития эпитаксиальной технологии.